公开(公告)号：CN117712170A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705188.5

申请日：2023-12-12

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 赵晔 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  王东 ,  李永军 ,  谭凯 ,  师小鸥 ,  刘瑜 ,  赵浩男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。

公开(公告)号：CN118116954A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410229168.3

申请日：2024-02-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  王东 ,  赵晔 ,  李永军 ,  赵浩男 ,  师小欧 ,  刘瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga空位工程调控的GaN HEMT外延结构及制备方法，该外延结构包括：包括衬底层；以及依次层叠在衬底层上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、Ga空位工程缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；其中，Ga空位工程缓冲层为周期性结构或渐变式结构。本发明在原有外延层结构的基础上创新性地引入了Ga空位工程缓冲层，利用Ga空位工程缓冲层的调控功能可以有效提升后续器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN117976758A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410136631.X

申请日：2024-01-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 常晶晶 ,  刘瑜 ,  林珍华 ,  袁海东 ,  郭兴 ,  高香香 ,  苏杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石/AlScN异质结的日盲紫外探测器，包括衬底层、缓冲层、异质结和接触电极，异质结由金刚石层和AlScN铁电材料层构造形成，本发明构造的异质结，超宽禁带的金刚石材料作为容纳二维电子气的沟道层，其另一侧的势垒层使用AlScN铁电材料，能够兼顾响应速度和可调控两个特点，一方面能够使探测器截止波长进一步减小，另一方面通过使用铁电性质更优秀的AlScN铁电材料，增强对异质结内置电场和耗尽区宽度的调控能力，促进光生载流子分离，从而提高探测器的性能。另外，由于AlScN铁电材料的禁带宽度要大于金刚石的禁带宽度，不会对紫外光波段之外的光发生响应，很好地弥补了光响应范围不精准的缺陷。

公开(公告)号：CN116779683A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310713333.8

申请日：2023-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 常晶晶 ,  刘瑜 ,  林珍华 ,  袁海东 ,  郭兴 ,  苏杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂Al1‑xScxN的铁电调控场效应晶体管及其制备方法，铁电调控场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底层、种子层、第一铁电层、第一介质层、沟道层、第二介质层、第二铁电层和栅电极；源电极与漏电极，源电极与漏电极分别设置于沟道层两侧以及部分沟道层的上表面；第二介质层覆盖在沟道层上表面、部分源电极和部分漏电极的上表面；第一铁电层为Sc掺杂浓度为35％～40％的Al1‑xScxN；第二铁电层为HZO。本发明提供的铁电调控场效应晶体管作为存储器件的存储性能好，内存窗口大，在存在外部干扰的情况下数据的可靠性以及稳定性更胜一筹，同时其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN116978941A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310949643.X

申请日：2023-07-31

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  陆俊 ,  李永军 ,  赵晔 ,  赵浩男 ,  刘瑜 ,  师小鸥 ,  黎伟正 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下往上依次外延的衬底基板、复合AlN成核层、AlGaN缓冲层、AlN/空位GaN SL1缓冲层、AlN/空位GaN SL2缓冲层、AlN/空位GaN SL3缓冲层、GaN沟道层、ALN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明能够有效调节外延薄膜中的应力，降低氮化镓外延层中的位错密度，获得高结晶，高质量GaN基HEMT外延材料。