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公开(公告)号：CN202888151U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220607009.5
申请日：2012-11-16
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型的名称为自定位管壳。属于半导体器件管壳技术领域。它主要是解决现有晶闸管和二极管封装在管壳中定位难而且结构复杂，封装后晶闸管或二极管尺寸偏厚的问题。它的主要特征是：包括上封接件、下封接件两部分；所述上封接件由阴极铜块和阴极无氧铜皮构成；所述下封接件由铜块、瓷件和无氧铜皮焊接而成；所述铜块的外圆周处设有凸环，凸环内形成固定管芯的凹槽；所述铜块的中心设有向外的凸座。本实用新型具有使晶闸管或二极管管芯在管壳封装中无需定位装置即可快速可靠定位、并使晶闸管或二极管厚度减薄的特点，主要用于晶闸管或二极管的超薄型无需定位装置的新型管壳。
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公开(公告)号：CN202633265U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201220273618.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型的名称为一种高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块绝缘耐压达不到4500V及以上问题。它的主要特征是：在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台，在凸台周围设有底板绝缘膜，凸台直径小于绝缘导热片的直径，凸台高度大于底板绝缘膜的厚度；在芯片与压板之间设有绝缘板、压板绝缘膜；在外壳内设有固定门极片的门极块；底板绝缘膜、绝缘导热片、电极下端、芯片、压块位于硅凝胶层或硅橡胶层之中。本实用新型具有绝缘耐压达到4500V以上，能够满足软启动、变频和无功补偿等设备中对模块有高绝缘耐压需求的特点，主要用于高绝缘耐压功率半导体模块。
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公开(公告)号：CN202630615U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201220273605.4
申请日：2012-06-12
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为一种器件快速烘干设备。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有器件烘干只能使用烘箱，并且不能在烘干过程中保持器件干净的问题。它的主要特征是：包括烘箱，所述的烘箱包括通道型烘箱箱体和设置在烘箱箱体内的红外烤灯；在烘箱箱体的上方设有与该烘箱箱体相通的空气净化器；在烘箱箱体内的底面上设有物件传送链条。本实用新型具有可以将半导体器件进行快速烘干，并能降低器件漏电流、提高器件可靠性和节省电能的特点，主要用于对功率半导体器件中半导体器件进行快速烘干。
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公开(公告)号：CN201466018U
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200920086847.0
申请日：2009-06-24
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为一种功率半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有单一半导体保护材料不能很好的满足半导体器件的特性及其稳定性的问题。它的主要特征是包括管壳或塑封壳体和封装在该管壳或塑封壳体内的PNPN四层结构的半导体芯片、阳极钼片、阴极表面金属镀层、以及芯片台面保护胶层；芯片台面保护胶层是由设在半导体芯片台面表面上的聚脂亚胺钝化保护层、脂胺树脂和硅橡胶交联剂层、以及硅橡胶层构成。本实用新型具有粘附性好、热稳定性好、耐水性好、抗蚀性好、抗震性好、绝缘性好、抗氧化性好的特点，主要应用于特性优良、性能稳定的一种功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN201466015U
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200920086846.6
申请日：2009-06-24
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为一种超薄型封装半导体整流器件。属于功率半导体技术领域。它主要是提供一种具有极低热阻的超薄型封装半导体整流器件。它的主要特征是包括平板型结构管壳、半导体整流器芯片、阴极和阳极金属电极压块；所述的阴极和阳极金属电极压块厚度分别不大于3mm；管壳厚度不大于9mm；管壳为陶瓷或环氧树脂密封管壳。试验和检测证明，这种超薄型封装形式，相对于常规的封装，热阻可降低30％以上。本实用新型主要用于具有极低热阻的超薄型封装半导体整流器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201430142Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920086843.2
申请日：2009-06-24
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时，存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70％，P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本实用新型具有在应用于串联逆变时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率串联逆变电源装置。
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公开(公告)号：CN201430140Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920086842.8
申请日：2009-06-24
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的名称为半导体雷浪涌抑制器。属于功率电子设备、建筑等雷电防护技术领域。它的主要特征是包括塑封壳体和封装在该塑封壳体内的雪崩导通特性高速二极管芯片堆，该半导体芯片堆由雪崩导通特性高速二极管芯片串联或并联构成。还可包括电容，该电容与雪崩导通特性高速二极管芯片堆并联。本实用新型具有结构简单、体积小、使用寿命长、成本低、易安装、防水防爆能力性能好的特点，可广泛用于电子设备、建筑等领域，特别适用于户外全天候等各种恶劣环境运行的半导体雷浪涌抑制。
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公开(公告)号：CN219702824U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202223442607.4
申请日：2022-12-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: B08B3/08
Abstract: 本实用新型的名称一种显影清洗装置。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有光学玻璃静态显影存在液体浸润速度较慢的问题。它的主要特征是：包括设备控制箱体及箱体内自上而下设置的控制部分、显影清洗部分和输入输出排管部分；所述控制部分包括设置在设备控制箱体上的系统显示屏；所述显影清洗部分包括显影液槽、显影花篮及其摇晃机构、以及冲洗水槽；所述输入输出排管部分包括输入排管和输出排管，输入排管与冲洗水槽连接，输出排管包括分别与显影液槽和冲洗水槽连接的输出显影液排管和输出清洗液排管。本实用新型具有在显影液中动态显影、自动显影和自动清洗的特点，主要用于功率半导体器件生产中光学玻璃的显影、清洗。
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公开(公告)号：CN218730952U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202220943524.4
申请日：2022-04-22
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型的名称是一种低功耗快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有结构的快速晶闸管存在通态压降VTM高于1.8V以上的问题。它的主要特征是：中心门极所在的P2短基区表面、放大门极各内指条之间的P2短基区表面和放大门极径向外侧的P2短基区表面设有阴极区P+层，分别构成中心门极P+区、放大门极内指条间P+区和短路环区，阴极区P+层的结深6‑20μm；阳极所在的P1阳极区表面设有结深8‑20μm的阳极区P+层；P1阳极区结深40‑100μm，P2短基区结深70‑100μm，阴极区N+结深16‑25μm。本实用新型具有降低高电压晶闸管器件压降、缩短器件关断时间的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源、高压直流断路器等装置。
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公开(公告)号：CN217933782U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202220841035.8
申请日：2022-04-13
Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , C23C14/16
Abstract: 本实用新型的名称是一种附着于半导体硅芯片表面的金属接触层，属于功率半导体器件制造技术领域。它主要是解决在半导体硅芯片表面真空镀膜金属镍、钛等金属接触层存在蒸发速率过慢或出现薄膜表面不平坦的问题。它的主要特征是：包括金属接触层；所述金属接触层由磁控溅射的欧姆接触层、黏附层、过渡层和导电层组成；所述欧姆接触层附着于衬底上，黏附层附着于欧姆接触层上，过渡层附着于黏附层上，导电层附着于过渡层上。本实用新型具有较好的附着力、致密性、台阶覆盖特性、厚度可控性及重复性良好的特点，主要用于功率器件半导体硅芯片表面的金属接触层。
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