公开(公告)号：CN108122752B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN108122752A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、15重量％-50重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN105273718A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510415950.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN119054028A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202280095222.9

申请日：2022-11-04

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金明珍 ,  金锡主

IPC: H01B1/22 ,  C09D11/03 ,  H01G4/12

Abstract: 本申请提供一种导电浆料组合物，通过以镍络合物油墨组合物代替部分导电金属粉末等，即使使用少量的导电金属粉末，也能使粘度特性优秀且易于印刷及分散。另外，本申请可通过上述导电浆料组合物提供厚度薄的内部电极。

公开(公告)号：CN118922582A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380026980.X

申请日：2023-03-17

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  金德铉

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。

公开(公告)号：CN118871617A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026984.8

申请日：2023-02-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  陈齐俊 ,  曹德贤 ,  南知贤

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN117397075A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202180098869.2

申请日：2021-11-22

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 河钟郁 ,  黄德炫

IPC: H01M8/18

Abstract: 本发明涉及一种钒电解液的制备方法以及包含钒电解液的电池，根据本发明，能够调整钒化合物的还原反应速度，并由于不生成副产物而能够省略分离和回收工序，并且能够提供单一制备工艺的再现性的钒电解液的制备方法以及包含钒电解液的电池。

公开(公告)号：CN113056255B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201980076170.9

申请日：2019-11-19

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金锡主 ,  金海春 ,  李正浩

IPC: A61K8/19 ,  A61Q17/04

Abstract: 本发明公开了一种包含具有表面缺陷的氧化铈粒子的紫外线屏蔽剂组合物及所述紫外线屏蔽剂组合物的制备方法。所述包含具有表面缺陷的氧化铈粒子的紫外线屏蔽剂组合物能够具有优秀的杀菌能力，并具有高的紫外线防护指数(sun protection factor，SPF)及PA指数，即使经过很长时间，也不会发生分层，从而能够显示优秀的分散稳定性。

公开(公告)号：CN111349079B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201911293576.0

申请日：2019-12-16

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 崔益朗 ,  洪太良 ,  金捘演 ,  金进喜 ,  申龂澈

IPC: C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  C07D405/14 ,  C07D471/10 ,  C07D491/107 ,  C07D495/10 ,  C07F7/10 ,  H10K50/11 ,  H10K85/60

Abstract: 本公开涉及有机化合物、OLED和有机发光装置，所述有机化合物包含作为电子供体的螺环结构的稠合杂芳族部分和通过取代有至少一个吸电子基团的亚芳基连接基团与所述电子供体连接的作为电子受体的三嗪部分，所述OLED和所述有机发光装置各自将所述有机化合物应用于至少一个发光单元。所述有机化合物能够使得所述有机发光二极管提高其发光效率并改善其颜色纯度。

公开(公告)号：CN108102654B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。