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公开(公告)号：CN1536542A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200310124059.3
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/7866
Abstract: 一种平板显示器，它能够降低驱动薄膜晶体管(TFT)的开态电流，保持开关TFT的高开关性质，用驱动TFT保持均匀的亮度，以及在相同的电压被施加到开关TFT和驱动TFT而不改变有源层的尺寸的情况下保持发光器件的寿命。此平板显示器包括发光器件、包括具有用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层的开关薄膜晶体管、以及包括具有用来驱动发光器件的沟道区的半导体有源层的驱动薄膜晶体管。预定的电流量根据数据信号而流过发光器件。开关薄膜晶体管的沟道区的晶粒的尺寸或形状之一不同于驱动薄膜晶体管的沟道区中的晶粒。
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公开(公告)号：CN1530895A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310124064.4
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L29/04
Abstract: 一种平板显示器，它能够根据驱动TFT的有源层的晶粒之间的差别而将白色平衡调节到恰当的水平而无须改变驱动TFT有源层的尺寸。借助于将最佳电流量馈送到各个子象素，此平板显示器还能够得到适当的亮度。此平板显示器具有多个象素。各个象素包括多个子象素，且各个子象素具有自发光元件和驱动薄膜晶体管。各个驱动薄膜晶体管具有半导体有源层，此半导体有源层具有连接到相应子象素的自发光元件的沟道区，以便将电流馈送到各个自发光元件。至少半导体有源层的沟道区对不同的子象素具有不同尺寸和形状的晶粒。
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公开(公告)号：CN1510974A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310120680.2
申请日：2003-12-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/3244 , H01L51/5221
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管，通过形成一阴极电极以覆盖阳极电极、由此聚焦从每个像素单元的发光层发射的光而能够提高每个像素单元的发光效率。所述有机发光二极管包括：分布在衬底的每个单元像素区的下电极；形成在各个下电极上的发光层；和形成在衬底上的上电极，所形成的上电极包围发光层。上电极起反射层的作用，反射全部的光，而从发光层发射的光经衬底出射。
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公开(公告)号：CN1501341A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310113867.X
申请日：2003-10-07
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L29/78618 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开一种有机发光二极管，通过控制流过每个单元像素有机电致发光器件的电流量能获得适当的亮度和长的寿命期限，包括：发光器件；驱动发光器件的第一和第二晶体管，其中，第一和第二晶体管具有不同的电阻值。第一晶体管是驱动发光器件的驱动晶体管，第二晶体管是使驱动晶体管进行导通和截止的开关晶体管，驱动晶体管的电阻值比开关晶体管的电阻值高。
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公开(公告)号：CN1501336A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310103663.8
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种具有多个象素的平板显示器。每个单元象素至少有一个第一晶体管和一个第二晶体管，并且第一晶体管的半导体层具有不同于第二晶体管半导体层的迁移率。本发明还公开了一种制造包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管的平板显示器的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基底上形成一非晶硅膜；将所述非晶硅膜晶化为多晶硅膜，该多晶硅膜至少分为具有第一迁移率的第一区和具有第二迁移率的第二区。该方法还包括通过对所述多晶硅膜构图而由具有第一迁移率的区形成所述第一晶体管的半导体层、由具有第二迁移率的区形成所述第二晶体管的半导体层的步骤，其中第一迁移率不同于第二迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454604C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510056503.1
申请日：2002-08-06
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其制造方法，该显示器具有大电容和高孔径比。在绝缘衬底上形成一薄膜晶体管和一电容器。所述薄膜晶体管包括一半导体层、一栅电极、以及源电极和漏电极。所述电容器具有第一和第二电容器电极以及一层介电层。在晶体管上形成一绝缘层来绝缘栅电极与源和漏电极，部分绝缘层形成为第一和第二电容器电极之间的介电层。一非平面形状的第一电容器电极和一相应形状的介电层、以及一第二电容器电极增加了电容器的容量。绝缘层的用作电容器电介质的部分形成得比绝缘层在栅电极上形成的部分薄。
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公开(公告)号：CN101232043A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003759.X
申请日：2002-12-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3265 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 一种带有黑矩阵的平板显示装置。这种平板显示装置包括绝缘基体，在该绝缘基体的上部带有像素电极；不透明的导电薄膜，该导电薄膜成形在绝缘基体的前表面上，除了像素电极所在的位置之外；绝缘薄膜，该绝缘薄膜带有接触孔，将不透明导电薄膜的一部分暴露出来；以及薄膜晶体管，该薄膜晶体管带有栅电极和用于源/漏电极的导电图案，所述源/漏电极通过所述接触孔连接到不透明的导电薄膜上。
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公开(公告)号：CN100407252C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200310103663.8
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种具有多个象素的平板显示器。每个单元象素至少有一个第一晶体管和一个第二晶体管，并且第一晶体管的半导体层具有不同于第二晶体管半导体层的迁移率。本发明还公开了一种制造包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管的平板显示器的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基底上形成一非晶硅膜；将所述非晶硅膜晶化为多晶硅膜，该多晶硅膜至少分为具有第一迁移率的第一区和具有第二迁移率的第二区。该方法还包括通过对所述多晶硅膜构图而由具有第一迁移率的区形成所述第一晶体管的半导体层、由具有第二迁移率的区形成所述第二晶体管的半导体层的步骤，其中第一迁移率不同于第二迁移率。
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公开(公告)号：CN1314127C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02151860.2
申请日：2002-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276
Abstract: 一种平板显示器件，其通过将公共电源线形成面板将相等的电源施加给所有像素，从而能够防止串联短路。该平板显示器件包括：形成在绝缘衬底上并通过接触孔与源/漏电极相连接的电源层；以及具有接触孔的缓冲层，用于使电源层和薄膜晶体管绝缘，其中，薄膜晶体管形成在缓冲层上并包括源/漏电极。
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公开(公告)号：CN1297008C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410004153.X
申请日：2004-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/092 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约-30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。
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