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公开(公告)号:CN100446992C
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200510112769.3
申请日:2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台,并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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公开(公告)号:CN101257038A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810081996.8
申请日:2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/52 , H01L51/5203 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件,其通过减小衬底表面的锥角来防止元件缺陷并提高图像质量。本发明的平板显示器包括:一绝缘衬底;一下部层,其形成于绝缘衬底上并且具有相对于衬底表面的第一台阶和第一锥角;以及一上部层,其形成于绝缘衬底上,用于减小下部层的锥角。上部层具有小于下部层的第一锥角的第二锥角。上部层是一导电层,该导电层可通过湿式涂覆方法被涂覆并且具有电荷迁移能力,该导电层选自小分子有机层和聚合物有机层中的至少一个,其中小分子有机层包括咔唑基、芳胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物,聚合物有机层包括PEDOT、PANI、咔唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
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公开(公告)号:CN100405631C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200410085026.7
申请日:2004-10-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3211 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0085
Abstract: 本发明提供了一种全色有机电致发光器件,其包括:一衬底;一形成在该衬底上的第一电极;一形成在该第一电极上的有机发光层,该有机发光层具有分别在一红色像素区域、一绿色像素区域和一蓝色像素区域中被构图的一红色发光层、一绿色发光层和一蓝色发光层,并具有由磷光材料构成的红色和绿色发光层以及由荧光材料构成的蓝色发光层;一形成在该有机发光层上以作为用于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的一共用层的空穴阻挡层;以及一形成在该空穴阻挡层上的第二电极,其中空穴阻挡层的厚度从20埃至150埃,从而能够提供具有提高的寿命和发光效率特性的所述全色有机电致发光器件。
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公开(公告)号:CN101221977A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810003506.2
申请日:2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器可以如下构成:TFT衬底,该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT;下电极,其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一;绝缘层,其具有暴露一部分下电极的开口;有机薄膜层,其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上;以及上电极,其形成在有机薄膜层上,其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角,并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
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公开(公告)号:CN101068042A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200710102253.X
申请日:2007-05-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3241
Abstract: 本发明公开了一种用于平板显示器的供体基底,该基底包括:基膜;光-热转化层,位于基膜上;第一缓冲层,位于光-热转化层上,第一缓冲层包含发射主体材料;转印层,位于第一缓冲层上;第二缓冲层,位于转印层上,第二缓冲层包含与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料。
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公开(公告)号:CN100347873C
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200310120585.2
申请日:2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法,通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜,能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备,所述供体膜包括:基材膜;在基材膜的上部形成的光热转化层;和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离,而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号:CN1958303A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610143368.9
申请日:2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 激光诱导热成像(LITI)的设备、LITI的方法及有机光发射显示(OLED)装置。用于形成OLED装置发光层的LITI设备包括:基板台,适合容放受体基板和施主膜以被层压,该受体基板具有OLED装置的像素区和磁铁,该施主膜具有要传输到像素区的发光层;激光振荡器,用于辐射激光到施主膜上;接触框架,适合于设置在基板台和激光振荡器之间,该接触框架具有与传输到受体基板的发光层对应的至少一个传输部分且具有用于与受体基板形成磁力的磁铁;和接触框架传输机构,用于移动接触框架到基板台上。
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公开(公告)号:CN1923531A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610142214.8
申请日:2006-08-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种激光感应热成像装置和使用该装置制造有机发光二极管的方法,它能在真空状态下进行激光感应热成像时减少或防止受主衬底和施主膜之间杂质或孔隙的出现。一种激光感应热成像装置,包括:包含用于接收成像层的受主衬底的衬底台,该成像层在受主衬底上形成;电磁体;具有永磁体的、设置和层叠在衬底台上的施主膜,且电磁体与施主膜的永磁体形成磁力;用于将激光发射到施主膜的激光振荡器;以及至少在其中设有衬底台的室。
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公开(公告)号:CN1923530A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610121985.9
申请日:2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/26
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中,磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中,可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间,即,一个部件位于可转移层之上,另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中:半成品装置和膜供体装置;半成品装置和接触框架;基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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公开(公告)号:CN1838842A
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN200510137564.0
申请日:2005-12-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , C23C14/048 , H01L51/0013
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器(OLED)及其制造方法,所述有机发光显示器具有提供于第一电极上的像素界定层,其形成有通气槽,以在形成像素界定层时允许气体排出,使得当通过激光诱导热成像(LITI)方法层压施主膜时气体不被留在像素内而是被排出,由此减少边缘开裂故障。
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