公开(公告)号：CN113552771A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110443868.9

申请日：2021-04-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明提供一种平坦度控制方法及装置、涂膜的形成方法及装置。本发明的平坦度控制方法，用于晶圆的平坦度控制，其包含以下步骤：准备具有包含多个区段的固持面，且该多个区段各自具备干式粘接性纤维构造物的固持构件的步骤；使晶圆吸附于该固持构件的该固持面，而使该晶圆固持于该固持构件的步骤；测量该晶圆的平坦度，而取得该晶圆的平坦度的信息的步骤；及基于该平坦度的信息，而在该固持构件的该固持面的该多个区段的一部分中，释放该干式粘接性纤维构造物对该晶圆所进行的吸附的步骤。

公开(公告)号：CN112526822A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010979904.9

申请日：2020-09-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 甲斐佑典 ,  渡边武 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。

公开(公告)号：CN112180686A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010637312.9

申请日：2020-07-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  泽村昂志 ,  新井田惠介 ,  橘诚一郎 ,  渡边武 ,  荻原勤

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。

公开(公告)号：CN107589633B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710546915.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  菊地里枝 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1]式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。

公开(公告)号：CN111825596A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010292123.2

申请日：2020-04-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  新井田惠介 ,  泽村昂志 ,  渡边武 ,  橘诚一郎 ,  荻原勤

IPC: C07D209/48 ,  C07D403/14 ,  C07D207/404 ,  C07C233/75 ,  C07C39/17 ,  C08F22/40 ,  C08L101/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，能够形成耐热性、或形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)通式(1A)或(1B)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。

公开(公告)号：CN110895380A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910864595.8

申请日：2019-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  矢野俊治 ,  前田和规 ,  三井亮 ,  永田岳志

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。

公开(公告)号：CN110317125A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910242725.4

申请日：2019-03-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 橘诚一郎 ,  渡边武 ,  新井田惠介 ,  长井洋子 ,  泽村昂志 ,  荻原勤

IPC: C07C35/38 ,  C07C29/42 ,  C07C69/16 ,  C07C67/08 ,  C07D335/16 ,  C07C43/205 ,  C07C41/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/115

Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。

公开(公告)号：CN109960111A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811592270.0

申请日：2018-12-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  郡大佑 ,  橘诚一郎 ,  美谷岛祐介 ,  小林直贵 ,  野田和美

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]

公开(公告)号：CN109426077A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810985309.9

申请日：2018-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  荻原勤 ,  渡边武 ,  新井田惠介 ,  泽村昂志

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]

公开(公告)号：CN113359390B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202110240480.9

申请日：2021-03-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新井田惠介 ,  郡大佑 ,  山本靖之 ,  中原贵佳 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。