-
公开(公告)号：CN116971033A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311043906.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开一种四硒化三铁单晶及其制备方法，所述制备方法包括步骤：将提供的四硒化三铁多晶粉末和化学气相传输剂进行混合，得到混合粉末；将混合粉末置于石英管的一端，抽真空后封管；对石英管进行加热，使得石英管放置有混合粉末的一端在第一预设温度下保温第一预设时间，同时使得石英管未放置有混合粉末的一端在第二预设温度下保温第一预设时间，自然冷却后，得到四硒化三铁单晶；其中，第一预设温度为712～750℃，且大于第二预设温度。本发明首次采用化学气相传输法成功制备得到四硒化三铁单晶，步骤简单、生长周期短、成功率高，获得单晶数量多、完整性好、尺寸大，适用于多数常规的研究手段，弥补了四硒化三铁在单晶制备方面的空白。
-
公开(公告)号：CN116949570A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311127706.X
申请日：2023-09-04
Applicant: 北方工业大学
Abstract: 本发明公开了一种黑磷单晶和高度取向块状多晶的制备方法，选用设定比例的矿化剂与磷单质作为制备原料；将选定的原料放置于设计的反应容器中；其中，所述反应容器呈圆柱形管状，分为区域Ⅰ与区域Ⅱ，区域Ⅰ和区域Ⅱ联通，区域Ⅰ为晶体生长区域，区域Ⅱ为反应物料区域，且区域Ⅰ的管内径小于区域Ⅱ；在一定的温度与时间条件下，运用化学气相输运法在反应容器的区域Ⅰ得到具有高度取向生长的块体黑磷多晶，在区域Ⅰ和区域Ⅱ的连接处得到黑磷单晶。该方法可以解决黑磷等二维材料在z轴方向上无法大尺寸生长的问题，方便地获得黑磷单晶和多晶块材。
-
公开(公告)号：CN114920239B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210505230.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , C01B19/00 , C30B25/00 , C30B29/46
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于水蒸气的二维材料转移或堆垛方法，包括：对衬底采用氧等离子体进行处理，在预处理后的衬底表面生成层状二维材料，得到预制复合基材；对预制复合基材表面旋涂转移介质后烘干，在其表面覆盖支撑凝胶，得到预制转移基材；将预制转移基材在水蒸气环境下进行熏蒸，获得转移基材；将转移基材上的预处理后的衬底剥离，得到转移基底；将转移基底转移至目标基底上，进行烘烤后，洗脱转移介质，完成二维材料的转移。通过上述方式，实现简单、高效、低污染地转移机械解理或者CVD生长制备的多种类二维材料，并降低科研中湿法转移引起的样品污染和屏蔽使用强酸/碱性溶液带来的危险性，从而降低科研成本，提高科研效率的效果。
-
公开(公告)号：CN116835651A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310683362.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高长宽比二硫化钼纳米带或微米带的可控制备方法，属于低维材料制备领域。采用钼酸盐溶液作为钼源，氢氧化钠溶液作为催化剂，硫粉作为硫源，通过化学气相沉积方法得到；通过调节钼酸钠和氢氧化钠混合溶液的不同比例，可实现对纳米/微米带尺寸、取向的可控调节；通过调节生长时间，可实现纳米/微米带层数的调节；最终在衬底上可控获得不同尺寸、取向和层数的长宽比大于100的二硫化钼纳米/微米带。制备工艺简单、生产成本低，且尺寸、取向和层数可控，适合批量生产。
-
公开(公告)号：CN116815305A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310852826.X
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法，属于二维材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将铜源、铌源和助熔剂的混合物放置于两片衬底之间，并将所述混合物和衬底放置于反应炉的中心温区，其中中心温区的温度控制在850‑950摄氏度；将硫源放置于反应炉中并位于中心温区的上游区域，距离中心温区18‑20厘米；在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体，所述混合气体将硫蒸汽输送至中心温区，还原性气体和硫蒸汽与中心温区的铜源和铌源反应，并在衬底上沉积，从而获得二维层状插层CuNb2S4晶体材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116752116A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310950263.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种通过原位化学气相沉积来生长卤化物钙钛矿纳米晶的方法，方法包括步骤：将卤化铅粉末和卤化铯粉末研磨混合获得固相前驱体；将固相前驱体和介孔分子筛相互混合；将混合粉末放在氮气氛围中加热，使固相前驱体升华为气态并被吸附进介孔分子筛的孔道内；降低温度，使气相铅、铯和卤素原子在分子筛孔道内原位反应并形成卤化物钙钛矿纳米晶。本发明通过在分子筛孔道中原位气相生长Cs4PbB6和CsPbBr3混合相，利用Cs4PbBr6来钝化CsPbBr3的表面缺陷，使CsPbBr3纳米晶的荧光量子产率达到90％以上，大大提高了其发光性能。同时，本发明通过调整卤化铅和卤化铯中的卤素种类，获得不同发光颜色的卤化物钙钛矿纳米晶，包括绿光CsPbBr3纳米晶、蓝光CsPbClxBr3‑x纳米晶、红光CsPbI3纳米晶。
-
公开(公告)号：CN115341272B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210922764.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于拓扑绝缘体制备技术领域，具体涉及一种毫米级二维拓扑材料硒化铋单晶的制备方法。为解决目前的Bi2Se3制备方法仍无法满足低成本、可批量制备、大尺寸、高均匀性需求的问题，本发明通过限时通气(在升温过程保持真空，达到设定温度后通气的方法)，以低熔点的Bi粉和Se粉为前驱体源，精确控制衬底温度(生长温度)等方法，有效解决了成核不均匀的问题，并实现了Bi2Se3单晶片的均匀可控生长，最终获得了毫米级Bi2Se3单晶片。
-
公开(公告)号：CN116695088A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210172289.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 宏硕系统股份有限公司
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/00 , C30B29/04
Abstract: 本发明是一种微波人造钻石生产装置，其包含有一反应容器及一微波发射模组。反应容器内用于放置一钻石晶种。微波发射模组包含依序连接的一模式转换管、一导向管、一第一导波管及一第一线极化微波源，以及一第二导波管及一第一匹配负载。模式转换管连接该反应容器并且可将微波从圆极化模式及线极化模式之间来回转换。导向管具有非平行的第一开口及第二开口，其分别连接第一导波管及第二导波管。第一线极化微波源设于第一导波管，第一匹配负载设于第二导波管。借此，反应容器中无用的反射微波能被第一匹配负载吸收，进而提高钻石生产效率。
-
公开(公告)号：CN115354392B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210982776.2
申请日：2022-08-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法，包括如下步骤：将硫源置于第一温区，将钼源及氯化亚铁粉置于第二温区，将蓝宝石衬底置于第三温区；使载气依次通过所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区；将所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区升温至各自的预定温度，进行单晶二硫化钼的生长。本申请制备方法，采用氯化亚铁辅助化学气相沉积的方法，在普通无切角蓝宝石衬底上即可制备晶圆级别单晶二硫化钼薄膜，铁掺杂可进一步调控二硫化钼的能带结构，优化沟道与电极的接触；简单易操作，过程可控，所得二硫化钼晶体畴区取向一致、无畴区晶界，表现出良好的层数均匀性和晶体质量。
-
公开(公告)号：CN116497446A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310428691.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 天津理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二维外尔半金属晶体的制备方法，首先将片状金属铌箔或钽箔与粉末状的砷或红磷作为反应原料以四氯化碲作为输运剂加入到石英管中，然后将尺寸合适的蓝宝石衬底放入石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管水平放置于管式生长炉中，通过控制升温，保温及降温程序来生长二维外尔半金属晶体。本发明采用了水平生长工艺，晶体在衬底上生长时不需要大的传输路程，可以保持晶体生长的连续性；降低了石英管中的纵向和径向温度梯度，使反应过程更加稳定，从而有利于获得较大尺寸的单晶薄片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1472
records
(took 0.033 seconds)
