公开(公告)号：CN116314237A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310064065.1

申请日：2023-01-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  王浩宇 ,  张建华 ,  冯雪葳 ,  殷录桥

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/06 ,  H01L33/54 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开一种柔性显示集成器件及其制备方法，涉及功率半导体领域，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；缓冲层和n型GaN层均为凸行结构；第一钝化层覆盖在自下而上依次设置的整体的上方，薄膜沟道层覆盖在第一钝化层顶端的上方，第二钝化层覆盖在第一钝化层和薄膜沟道层构成的整体的上方；阴极的顶部被第二钝化层覆盖，底部与n型GaN层连接；源极/阳极的顶部被薄膜沟道层覆盖，底部与p型GaN层连接，漏极的顶端被薄膜沟道层覆盖，底端与第一钝化层的上表面连接；栅极位于源极/阳极和漏极之间，栅极位于第二钝化层的上表面，本发明降低了制造工艺的难度。

公开(公告)号：CN114597256A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210219208.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  高蒙 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  王昊天

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。

公开(公告)号：CN114050208A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111331707.7

申请日：2021-11-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  路秀真 ,  郭爱英 ,  张文魁 ,  安原

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三侧，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。

公开(公告)号：CN108070891B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201611022144.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 上海大学 ,  镓特半导体科技(上海)有限公司

Inventor： 杨连乔 ,  陈章福 ,  徐小雪 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  吴行阳 ,  廖威 ,  李起鸣 ,  特洛伊·乔纳森·贝克

IPC: C25D9/04 ,  C23C16/26 ,  C23C28/04 ,  H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42

Abstract: 本发明提供一种石墨烯碳纳米管复合薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：S1：提供一基底，所述基底整体或至少有一面的材质为石墨烯催化剂；S2：进行电镀，使碳纳米管附着在所述基底表面，且所述碳纳米管未覆盖满所述石墨烯催化剂；S3：采用化学气相法在所述基底具有所述石墨烯催化剂的一面继续生长石墨烯，得到石墨烯碳纳米管复合薄膜。本发明具有工艺简单的特点，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯/碳纳米管复合薄膜质量比较好，并且复合薄膜与催化基板有良好的接触与附着。

公开(公告)号：CN110459697A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910788712.7

申请日：2019-08-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  黄品涵 ,  殷录桥 ,  汪飞

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开一种光电半导体的激光封装结构及方法，该方法包括：将所述金属凸台固定于所述氮化铝基板上；利用真空镀膜工艺在所述第三圆环的外侧面镀银；将玻璃盖扣在所述金属凸台上；在所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏；用激光加热所述锡膏使其融化，形成密封。采用本发明的封装结构和方法能够简化激光封装的工艺，提高产品生产效率。

公开(公告)号：CN110444559A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910752615.2

申请日：2019-08-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  张豆豆

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种Micro-LED阵列及其制备方法，涉及LED封装领域，主要包括硅基板、金属基板以及位于硅基板、金属基板之间的多个相同的发光芯片；发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；硅基板上设置有布线，金属触点通过布线与硅基板电气互联，金属基板设置在n型氮化镓层上；金属触点作为发光芯片的p电极；金属基板作为发光芯片的n电极；当硅基板通电后，电流从金属触点流向金属基板，实现Micro-LED阵列的发光。本发明公开的Micro-LED阵列及其制备方法，能够实现Micro-LED阵列的无金线封装。

公开(公告)号：CN108417690B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201810190735.3

申请日：2018-03-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 李春亚 ,  王毅斌 ,  胡雅萌 ,  殷录桥 ,  张建华

IPC: H01L33/48 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L2924/16195

Abstract: 本发明公开一种发光二极管。所述发光二极管包括：玻璃盖板、陶瓷基板、发光二极管芯片和电路结构层；其中，所述陶瓷基板开设有凹槽，所述玻璃盖板的形状与所述凹槽的形状匹配，且所述玻璃盖板盖设在所述凹槽上；在所述陶瓷基板的与所述玻璃盖板接触的表面处设置有釉料层；在所述玻璃盖板的与所述凹槽接触的表面处设置有玻璃浆料层，所述玻璃浆料层用于将所述玻璃盖板与所述陶瓷基板熔接在一起；所述发光二极管芯片设置在所述凹槽内，且所述发光二极管芯片与所述电路结构层连接。本发明提供的发光二极管，在陶瓷基板表面制作平滑的釉料层，使用玻璃浆料来实现玻璃盖板与陶瓷基板的低温紧密熔接，降低了工艺复杂性的同时又提高了发光二极管的封装气密性和可靠性。

公开(公告)号：CN109611702A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201910039418.6

申请日：2019-01-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  汪飞 ,  殷录桥

IPC: F21K9/20 ,  F21V5/04 ,  F21V23/00 ,  H05B33/08 ,  F21V31/00 ,  F21V19/00 ,  F21V29/507 ,  F21V29/87 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明公开一种水下照明装置。包括：玻璃透镜、发光二极管、发光二极管驱动电路、灯壳、底盖、柔性电路板及类金刚石薄膜涂层；灯壳分别与玻璃透镜及底盖匹配设置，形成封闭空间，在封闭空间内设有所述发光二极管，且发光二极管对应玻璃透镜设置，使得发光二极管的灯光能够透过玻璃透镜；灯壳的内壁上设有类金刚石薄膜涂层，类金刚石薄膜涂层上设有柔性电路板，柔性电路板上连接有发光二极管驱动电路，发光二极管驱动电路与发光二极管连接。本发明提供的水下照明装置将发光二极管驱动电路印刷在柔性电路板上提高灯壳内腔的空间利用率，壳体内壁设有类金刚石薄膜涂层增加了壳体的导热性能，进一步提高了散热效率。

公开(公告)号：CN109578877A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201910032716.2

申请日：2019-01-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  黄品涵 ,  殷录桥 ,  王毅斌

IPC: F21S8/00 ,  F21V15/02 ,  F21V29/58 ,  F21V29/85 ,  F21V29/89 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明公开一种深海照明灯。包括：灯壳、透镜、LED灯珠、散热器、LED驱动电路和导热液体；所述灯壳采用椭球体，所述透镜内嵌于所述椭球体的第一尖端部位，所述散热器的一端设于所述透镜的下方，所述散热器分为上部实体圆柱结构和下部空心圆柱结构，所述散热器的上部实体圆柱结构上镀有绝缘层，所述LED灯珠设于所述绝缘层上，所述LED驱动电路设于所述散热器的下部空心圆柱结构间，所述散热器的上部实体圆柱结构通过螺纹与所述灯壳连接；所述散热器的另一端与所述灯壳的第二尖端部位卡接，所述散热器与所述灯壳形成的空腔内含有导热液体，所述散热器采用铜合金。采用本发明能够增强海下照明灯的散热效率，增强照明的亮度。

公开(公告)号：CN106399960B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610906994.2

申请日：2016-10-18

Applicant: 上海大学 ,  镓特半导体科技(上海)有限公司

Inventor： 吴行阳 ,  吴思伟 ,  杨连乔 ,  张建华 ,  殷录桥 ,  李起鸣 ,  特洛伊·乔纳森·贝克

IPC: C23C14/35 ,  C23C16/505 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝或钛；S2：在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术，在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜，达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上，作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用，且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用，还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面，具有广泛的工业前景。