-
公开(公告)号：CN107611347A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710786381.4
申请日：2014-05-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/36 , C01B33/113
CPC classification number: H01M4/131 , C01B33/113 , H01M4/0404 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/48 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M2004/027 , H01M2220/30
Abstract: 本发明的负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，所述负极活性物质的特征在于：前述负极活性物质颗粒含有由SiOx所构成的硅类材料，并且，0.5≤x≤1.6；在前述硅类材料中，作为化学位移值的－50～－95ppm时所呈现的硅区域的峰值强度值A、与作为化学位移值的－96～－150ppm时所呈现的二氧化硅区域的峰值强度值B，满足A/B≥0.8的关系，并且，所述化学位移值与峰值强度值是由29Si-固体核磁共振谱图所获得。由此，本发明提供一种负极活性物质，当作为锂离子二次电池的负极活性物质来使用时，可增加电池容量并提高循环特性和初期充放电特性。
-
公开(公告)号：CN103149791B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201210599085.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，半色调相移掩模及半色调相移掩模坯料。光图案曝光方法是通过半色调相移掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。该掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的半色调相移膜的图案，且所述材具有0.18‑0.25的原子比(Met/Si)，25‑50原子％的氮含量，以及5‑20原子％的氧含量。该掩模可用ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射。
-
公开(公告)号：CN107112530A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070924.1
申请日：2015-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/525 , C01G51/00 , C01G53/00 , H01G11/06 , H01G11/24 , H01G11/46 , H01M4/48 , H01M4/505 , H01M10/052
Abstract: 本发明是一种锂钴系复合氧化物，其用于电化学器件的正极的活性物质，所述锂钴系复合氧化物的特征在于：以相对于前述锂钴系复合氧化物的质量比计，使前述锂钴系复合氧化物分散于超纯水中而成的溶出液中所溶出的氟离子，是500ppm以上且15000ppm以下；所述锂钴系复合氧化物的组成，是由下述通式(1)所表示：Li1‑xCo1‑zMzO2‑aFa，其中，‑0.1≤x＜1，0≤z＜1，0≤a＜2…(1)，式(1)中，M表示由Mn、Ni、Fe、V、Cr、Al、Nb、Ti、Cu、Zn所组成的群组中选出的1种以上的金属元素。由此，提供一种锂钴系复合氧化物及其制造方法，其在作为电化学器件的正极活性物质使用时，可得到高的充放电容量还有高的循环特性。
-
公开(公告)号：CN103809369B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310724734.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
-
公开(公告)号：CN105981204A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007499.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种负极活性物质，其是非水电解质二次电池的负极材料用的负极活性物质，所述负极活性物质的特征在于，前述负极活性物质含有硅类材料SiOx，且0.5≤x≤1.6，所述硅类材料包含Li6Si2O7、Li2Si3O5、Li4SiO4中的至少1种以上；并且，在前述负极活性物质的至少一部分表层包含已结晶化的氟化合物、或具有‑CF2‑CF2‑单元的化合物，或者包含所述这两种化合物。由此，本发明提供一种负极活性物质、锂离子二次电池，所述负极活性物质在作为锂离子二次电池的负极活性物质使用时，能够增加电池容量并提高循环特性和初始充放电特性，所述锂离子二次电池具有使用此负极活性物质而成的负极电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105981203A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007537.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0404 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其具有负极活性物质颗粒，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于，前述负极活性物质颗粒具有由SiOx表示的硅化合物，其中，0.5≤x≤1.6；并且，前述硅化合物的内部含有锂化合物，前述非水电解质二次电池用负极材料包含IA族和IIA族金属离子、可以被取代的铵离子中的至少一种以上。由此，本发明提供一种非水电解质二次电池用负极材料，所述负极材料能够增加电池容量，并改善循环特性和电池初始效率。
-
公开(公告)号：CN105684197A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480059867.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/0404 , H01M4/0421 , H01M4/0459 , H01M4/1391 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/5825 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M2004/027 , H01M2300/0071
Abstract: 本发明的负极活性物质，其用于锂二次电池的负极活性物质层，所述负极活性物质的特征在于，前述负极活性物质含有硅类材料SiOx，且0.5≤x≤1.6；在由X射线光电子光谱法所获得的Si1s波形中，在键能为520eV以上且537eV以下的范围内具有至少2个以上的峰。由此，本发明提供一种负极活性物质，当作为锂离子二次电池的负极活性物质来使用时，能够增加电池容量并提高循环特性和初期充放电特性。
-
公开(公告)号：CN105612636A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480054716.8
申请日：2014-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/382 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种含硅材料，其可以掺杂锂以及使锂脱掺杂，并且，当使用三极单元进行充放电，所述三极单元是采用以所述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、以及锂离子导电性电解质而构成，并且，以所述参考电极为基准，在测定所述工作电极的电位与充放电容量的关系的情况下，当使电流往使锂由所述含硅材料脱掺杂的方向流通而进行放电时，相对于从满充电状态至电位为2000mV的状态为止所放电的容量，从满充电状态至电位为400mV的状态为止所放电的容量的比率是38％以上。由此，能够提供一种含硅材料，其能够制造循环性高的非水电解质二次电池。
-
公开(公告)号：CN103229099B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
-
公开(公告)号：CN102656516B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080056696.X
申请日：2010-12-03
Applicant: 凸版印刷株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/56 , G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
119
records
(took 0.03 seconds)
