公开(公告)号：CN109690800A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680088889.0

申请日：2016-08-31

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 斋藤雄二 ,  林哲也 ,  山上滋春 ,  图子祐辅 ,  富田要介 ,  竹本圭佑

IPC: H01L51/44

Abstract: 一种光伏装置，具备：有机半导体(10)，其包括产生激子的光活性区域(11)；以及无机半导体(20)，其包括将激子所包含的载流子解离出的解离区域(21)，具有压电性，其中，在光活性区域(11)与解离区域(21)之间，能级的关系满足下述式(1)和下述式(2)中的至少任一方。

公开(公告)号：CN109314509A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201680086784.1

申请日：2016-06-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  大久保明范 ,  岩崎裕一

IPC: H03K17/04 ,  H02M1/08 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 在驱动装置中，将主开关元件与主电流路径连接，将高电位侧开关元件的输入端子和低电位侧开关元件的输出端子与主开关元件的控制端子电连接，在低电位侧开关元件的输入端子和主开关元件的控制端子之间连接第一电阻，与第一电阻并联连接第一电容器，在第一电阻与主开关元件的控制端子的连接点和主开关元件的高电位侧端子之间连接第二电容器。

公开(公告)号：CN109219869A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201680086244.3

申请日：2016-05-30

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  早见泰明 ,  田中亮太

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。

公开(公告)号：CN107710575A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580080255.6

申请日：2015-05-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  铃木达广 ,  沼仓启一郎 ,  下村卓 ,  林哲也

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M5/4585 ,  H02M7/217 ,  H02M7/48 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0006 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/122 ,  H03K17/165 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0081

Abstract: 电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用，调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12))，所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1～Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。

公开(公告)号：CN107155390A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201480084272.2

申请日：2014-12-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 秦贤太郎 ,  K.特龙努姆柴 ,  林哲也 ,  大久保明范

IPC: H02M7/48

Abstract: 一种电力变换装置，具备：变换从电源输出的电力的逆变器、与逆变器及电源的正极侧连接的第一供电母线、与逆变器及电源的负极侧连接的第二供电母线、连接在第一供电母线和第二供电母线之间且将电阻性部件和电容性部件串联连接的多个连接电路，多个连接电路具有至少两个以上不同的阻抗。

公开(公告)号：CN105556647B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201480051481.7

申请日：2014-06-03

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 倪威 ,  林哲也 ,  丸井俊治 ,  斋藤雄二 ,  江森健太

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体装置。具有：衬底(1)；n型的漂移区域(4)，其形成于衬底(1)的主面；p型的阱区域(2)、n型的漏极区域(5)及n型的源极区域(3)，它们分别在漂移区域(4)内，从漂移区域(4)的与同衬底(1)接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿第2主面的垂直方向延伸设置；栅极槽(8)，其从第2主面开始沿垂直方向设置，在与衬底1的第1主面平行的方向上将源极区域(3)以及阱区域(2)贯通；以及栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)而形成于栅极槽(8)的表面，漂移区域(4)的杂质浓度比衬底(1)的杂质浓度高，阱区域(2)延伸设置至衬底(1)内。

公开(公告)号：CN103493208A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018880.4

申请日：2012-02-24

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  林哲也 ,  下村卓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7801 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，构成为，在形成有栅电极（108）的槽（105）的底部或槽（105）正下方的漂移区域（102）内形成阳极区域（106），以到达阳极区域（106）的深度在槽（105）内形成接触孔（110），经由内壁绝缘膜（111）在接触孔（110）埋设源电极（112），在通过内壁绝缘膜（111）与栅电极（108）绝缘的状态下，将阳极区域（106）和源电极（112）电连接。

公开(公告)号：CN101165864B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200710182015.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体基体；异质半导体区域，其由带隙与半导体基体的半导体材料不同的半导体材料制成，并被配置成与半导体基体结合形成异质结；栅极绝缘膜，其被配置成与半导体基体和异质半导体区域之间的异质结接触；栅电极，其被配置成与栅极绝缘膜接触；源电极，其被连接到异质半导体区域；以及漏电极，其被连接到半导体基体。所述制造方法包括：通过使用特定的掩膜材料，以自对齐的方式形成用于源电极的源极接触孔和栅电极。

公开(公告)号：CN101055894B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710090575.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7808 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。

公开(公告)号：CN101083280B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200610083496.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。