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公开(公告)号：CN115073165B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210690327.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
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公开(公告)号：CN115995349A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211706004.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。
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公开(公告)号：CN115074666A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN110190240B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110098388B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910255220.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅复合材料及其制备方法与应用。所述氧化硅复合材料制备方法包括如下步骤：将硅粉和二氧化硅粉进行球磨混合处理，获得混合粉体；将所述混合粉体与次氯酸盐混合处理后，获得混合前驱体；将所述混合前驱体在含有氮源的气氛中进行梯度烧结处理，获得氧化硅复合材料。本发明氧化硅复合材料的制备方法制备的氧化硅复合材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110451949A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720062.2
申请日：2019-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及低温烧结陶瓷技术领域，尤其涉及一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，包括固定连接在一起的控制箱、进料装置和烧结装置，所述烧结装置包括机壳，所述机壳的上端面固定安装有上成型液压机，所述上成型液压机的主轴上固定安装有上模具芯，所述机壳的下端面于上成型液压机对应的位置固定安装有下成型液压机，所述下成型液压机的主轴上固定安装有下模具芯，所述机壳的侧壁上固定安装有安装台，所述安装台上可拆卸安装有模具，所述模具的外壁上安装有加热机构。本发明的一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，可以实现高致密的Bi2O3陶瓷，所加工的Bi2O3陶瓷具有成品率高、表面清洁和具备工业化批量流水线制造的优点。
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公开(公告)号：CN106854754B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611166365.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3)抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。
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公开(公告)号：CN106430985B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610644369.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃粉的水热制备方法。以质量百分比正硅酸乙脂︰氯化铝︰氯化镁=50~53:30~35:13~20的复合原料，溶解于去离子水，控制溶液浓度为0.5~1.5mol/L，并加入氨水调节pH值为7.0~9.5，反应生成沉淀物，再将沉淀物倒入水热反应釜，在180~240℃/12h的水热条件反应，待反应釜冷却后，出料并按复合原料的氧化物含量0.5~3%的比例加入氯化物掺杂剂，搅拌，静置1小时后，用常规方法过滤、洗涤、干燥，在1400~1500℃熔融，再按常规方法破碎、球磨、喷雾造粒，得到堇青石基微晶玻璃粉。本发明通过水热法制备微晶玻璃前驱体，可获得具有更好封装性能的玻璃粉体，可广泛应用于电子器件的封装。
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公开(公告)号：CN109133030A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811114757.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳材料的制备方法及其应用，其制备步骤包括：步骤1：将葡萄糖与含氮化合物加入到去离子水中，搅拌均匀后放入高压反应釜中在一定温度和时间下碳化反应，再经过滤、洗涤、干燥得到含氮前驱体；步骤2：将含氮前驱体和碱性无机物混合，经搅拌、干燥、煅烧、活化得到氮掺杂多孔碳材料；步骤3：将得到的氮掺杂多孔碳材料经过洗涤、过滤、烘干、研磨即得氮掺杂多孔碳材料，该材料的比表面积范围在1343‑1947m2g‑1，孔径分布均一，孔径分布为1‑2nm。该材料应用于超级电容器电极材料组装成超级电容器，当电流密度为0.5Ag‑1时，比电容值为320‑423F g‑1。在超级电容器、锂离子电池等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104843976B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510150714.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03B23/03
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种3D曲面超薄玻璃弯曲成型装置和制造方法。该装置包括：转盘、凹模、凸模、气缸、玻璃转移机构、隧道炉、真空系统以及电气控制操作系统，其中转盘上设有多个凹模。采用上述装置，分阶段快速加热凹模和凸模，将超薄玻璃依次置于转盘的凹模上，并进行预热，当超薄玻璃旋转到达凸模对应的工位后，压下凸模并利用远红外灯管快速加热到玻璃软化点，同时利用真空系统对凹模上的超薄玻璃抽吸和凸模加压，使超薄玻璃发生弯曲，经玻璃转移机构将超薄玻璃转到隧道炉进行降温，即可实现3D曲面超薄玻璃的制造。本方法具有批量化、自动化、高效制造的特点，特别适合用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄玻璃的制造。
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