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公开(公告)号：CN116988072A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311151709.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铟粉体的电解制备方法，采用匀强电场的环形电场电极布局方式，同时结合相应的电流密度、电解质浓度、pH及其它条件，制备出晶粒大小适中（平均晶粒尺寸为65nm左右），分散性良好的球形和类球形In2O3晶粒。相对于目前现有的方式，获得的In2O3颗粒的均匀性和分散性都有明显的改善，且晶粒尺寸也明显减小。
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公开(公告)号：CN115074666B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN116053054A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211705330.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN111359541B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置的方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90%的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN109234711B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC‑400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶‑凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224118A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910408052.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/50 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M4/131 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86
Abstract: 本发明提供了一种复合型锰氧化合物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锰氧化合物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锰氧化合物薄膜。本发明复合型锰氧化合物薄膜的制备方法将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锰氧化合物薄膜具有界面电阻小和比表面积大的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锰氧化合物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110190240A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110112369A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910403620.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01G11/86 , H01G11/46
Abstract: 本发明提供了一种复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。所述复合型二氧化钛薄膜的制备方法包括的步骤有：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。本发明复合型二氧化钛薄膜的制备方法将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型二氧化钛薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型二氧化钛薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN109360986A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811139119.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/054 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及硒化锌作为铝离子电池正极材料的应用，属于铝离子电池技术领域。将硒化锌用作铝离子电池正极材料，不仅具有高的放电平台，还具有大的比容量，其中，放电电压平台约为1.8V，在200mA/g电流密度下首圈比容量为164mAh/g左右，使得铝离子电池可更好地被应用于众多领域，如电子工业、通讯产业、电动汽车等。同时，硒化锌的制备工艺简单，原料来源广泛，且成本低，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109234711A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC-400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶-凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
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