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公开(公告)号：CN106601613A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510684066.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/314 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种云母薄膜的制备方法，其包括：将衬底放置于真空的脉冲激光沉积设备中；利用脉冲激光熔蚀云母靶材，使云母靶材的表面产生等离子体羽辉，所述等离子体羽辉沉积在所述衬底上生长形成均匀的云母薄膜。本发明还公开了一种晶体管，其包括利用该制备方法制备的云母薄膜。本发明的晶体管引入云母薄膜作为电介质层，由于云母的层状二维纳米结构具有超薄的厚度，有利于晶体管的栅极调制，并且有助于晶体管在纵向方向的高密度集成。此外，云母薄膜的表面非常光滑，这个特征使晶体管的载流子能够免于表面粗糙度及陷阱态的影响，从而晶体管能够获得较高的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN106486363A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510551408.2
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三、第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，所述刻蚀终止层的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比，或者所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比。藉由本发明的设计可以大幅降低p型栅技术的实施难度，并精确控制p型层的刻蚀深度，确保器件电学特性和芯片制作工艺的重复性、均匀性、稳定性，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN105762236A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410776660.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面上还设有下电极，而在所述电极接触层上设有上电极，其特征在于所述外延结构层上部包含有脊型波导结构，所述脊型波导结构主要由直线区、弧形区和倾斜区中的任意两种以上的组合构成。本发明还公开了前述SLD的制备方法。本发明的SLD器件兼具高输出功率和高质量的输出光谱，稳定性好，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN119486420A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411446852.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10H20/856 , H01L25/075 , H10H29/24 , H10H29/856
Abstract: 本发明公开了一种高光功率密度紫外光源，包括：基板，所述基板上设有电路层；若干芯片，若干所述芯片设于所述基板上，且所述芯片的电极与所述电路层电连接；反射件，所述反射件围绕在所述芯片的周围，且所述反射件的高度大于所述芯片的高度；透光件，所述透光件设于所述芯片和所述反射件的上方。本发明能够提高高光功率密度紫外光源的光照密度和强度。
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公开(公告)号：CN118783240A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310361964.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包含有光子晶体结构，所述光子晶体结构形成于所述激光器结构的n侧，并包括激光器结构内的至少部分n型III族氮化物半导体材料。以及，所述激光器结构的p侧表面通过p型欧姆接触电极与导热支撑基板导热连接。本发明的激光器结构具有串联电阻小、热阻低、发光效率高、应力小等优点，可大幅增强光子晶体表面发射激光器的性能，有效延长其使用寿命，且其制作工艺与现有半导体激光器制作工艺兼容，非常适合III族氮化物半导体光子晶体表面发射激光器的规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118739020A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310330566.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄光谱氮化镓基半导体激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包括具有F‑P腔的激光器本体，依次结合在所述激光器本体的前腔面上的第一分布式布拉格反射镜、至少一介质层和第二分布式布拉格反射镜，以及，结合在所述激光器本体的后腔面上的第三分布式布拉格反射镜；所述第一分布式布拉格反射镜、介质层和第二分布式布拉格反射镜配合形成光学微腔，所述光学微腔用于与F‑P腔进行耦合选模。本发明的激光器结构具有光谱窄、发光效率高、可靠性好等优点，其制作工艺具有简单、刻蚀损伤小、利于生产，可显著提升氮化镓基半导体激光器的综合性能，并降低其生产成本。
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公开(公告)号：CN118040476A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211420387.7
申请日：2022-11-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。所述氮化镓基激光器管芯结构包括外延结构；该外延结构包括第一、第二欧姆接触电极接触层，第一、第二光学限制层，第一、第二波导层、有源区等；并且该外延结构还包括台阶结构、脊型结构和凹槽结构，台阶结构分布在该外延结构于激光器谐振腔上的两侧边缘部；凹槽结构沿激光器谐振腔方向分布在脊型结构两侧，并且凹槽结构的槽口、槽底分别设置于第二欧姆接触电极接触层表面、第二波导层内部。本申请可以有效克服在将激光器管芯与高热导率过渡热沉倒装焊接在一起时，因管芯倾斜、焊料从侧边溢出引起短路等问题，从而大幅提高激光器管芯倒装焊接的可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN118040475A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211373228.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成激光器的脊型结构，第一、第二电极接触层分别与第一、第二电极分别与电连接，并且激光器管芯结构还包括高阻区，高阻区至少形成于第二波导层内，并分布在脊型结构两侧，且与脊型结构邻近设置；第二电极至少连续覆设于脊型结构表面，且与脊型结构表面直接接触。本申请的技术方案能够有效提高激光器的基膜激光输出功率，并明显改善其热特性。
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公开(公告)号：CN117766655A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310632431.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体发光器件及其制备方法。高效率半导体发光器件包括外延结构以及与外延结构配合的第一电极和第二电极，外延结构包括沿器件的纵向依次层叠设置的第一掺杂半导体层、有源区、第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有第一注入区，第一电极与第一注入区电连接，第二掺杂半导体层具有第二注入区，第二电极与第二注入区电连接，第一注入区和第二注入区之间形成有载流子传输区，第一注入区、第二注入区的面积小于高效率半导体发光器件的台面面积。本发明使空穴和电子的传输路径远离外延片/台面的刻蚀侧壁，从而空穴和电子避免被侧壁捕获而发生非辐射复合，进而提高了器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN117748292A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211112921.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法。所述的方法包括：对氮化镓激光器的外延结构进行加工，以将其中的接触层、第二光学限制层和第二波导层部分去除，从而形成脊型结构；在第二波导层表面位于所述脊型结构周围的至少部分区域上设置高折射率薄膜，以形成反波导结构。本申请通过在氮化镓激光器中形成所述的反波导结构，可以实现对脊型结构以外区域有效折射率的调制，为脊型结构与其以外区域的有效折射率差的调制提供了一种有效手段，进而通过调整该有效折射率差的大小，能够抑制更多高阶模式的产生，减小光束质量M2因子，显著改善氮化镓激光器的光斑质量。
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