公开(公告)号：CN101254499A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810104370.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 北京信息工程学院

Inventor： 王丽坤 ,  秦雷 ,  李莉 ,  张金铎

IPC: B06B1/06 ,  G10K9/122 ,  G10K11/00

Abstract: 本发明提供了一种叠堆晶片发射换能器，包括压电晶片堆、前盖板和背衬，其中压电晶片堆由多片压电陶瓷晶片叠堆而成，前盖板由轻金属制成，背衬由重金属制成，前盖板和背衬分别位于压电晶片堆的上下两端；相邻的晶片之间，以及压电晶片堆与前盖板和背衬之间夹有金属薄片，以焊接电极引线；压电陶瓷晶片的极化方向沿着厚度方向；其特征在于：前盖板为带圆柱头的椎体，具体可分为上下两部分，下部分为一个倒扣的喇叭状圆台，上部分是一个顶面为平面或球冠面的圆柱。本发明保持了叠堆晶片振子发射声能密度大的特点，同时采用带圆柱头的锥体状前盖板，扩大了换能器的发射波束开角，而且可以通过改变前盖板的形状和尺寸来调整发射的波束开角。

公开(公告)号：CN100349661C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02825501.1

申请日：2002-11-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·罗宾森

IPC: B06B1/06 ,  G10K11/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: G10K11/002 ,  B06B1/0685 ,  B06B1/0692 ,  B06B2201/76 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明针对用于微型机加工超声换能器(MUT)的改进的结构及此结构的制造方法。在一种实施形式中，基片上的MUT包括形成于基片内而在MUT之下一个位置的声腔。此腔充填的声衰减材料吸收基片中的声波和减少寄生电容。在另一实施形式中，此腔形成于多个MUT之下且充填声衰减材料。在又一实施形式中，声衰减材料基本上密封在介电层上的多个MUT。在再一实施形式中，基片中形成有至少一个单片式半导体电路，它可与MUT可操作地耦合以进行信号处理和/或控制操作。

公开(公告)号：CN101006361A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028604.6

申请日：2005-08-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： W·苏多尔

IPC: G01S15/89 ,  G01S7/521 ,  B06B1/06 ,  G10K11/00 ,  A61B8/14

CPC classification number: H01L24/13 ,  B06B1/0629 ,  G01S7/52079 ,  G01S7/5208 ,  G01S15/8925 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  Y10T29/42 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种超声换能器(100)，包括集成电路(52)和通过倒装凸块(76，78)耦合到该集成电路的声学元件(92，94，96)阵列。该倒装凸块包括纵横比大于1∶1的大纵横比凸块。该纵横比包括凸块高度(82)与凸块宽度(84)之比。

公开(公告)号：CN1882197A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610094538.9

申请日：2006-06-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中岛明

IPC: H04R17/00 ,  G10K11/00

CPC classification number: G01S7/521 ,  B60R19/483 ,  G10K9/122 ,  G10K11/004

Abstract: 一种超声波传感器装置包括：超声换能器(10)及中空外壳(30)。所述超声换能器(10)包括具有底部的管状壳体(11)、压电元件(12)以及振动表面(11a)。所述压电元件(12)固定在所述管状壳体(11)的底部的内表面上。所述振动表面(11a)是管状壳体(11)的底部的外表面。所述中空外壳(30)包括一开放表面，所述中空外壳(30)将通过该开放表面来接收所述超声换能器(10)，以使所述振动表面(11a)暴露在外面。所述超声波传感器通过使用过滤器(40)来限制由物体的碰撞引起的撞击传递到所述振动表面(11a)上，该过滤器位于所述振动表面(11a)的上方。

公开(公告)号：CN1820712A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610006908.9

申请日：2006-01-19

Applicant: 美国西门子医疗解决公司

Inventor： V·R·马里安 ,  W·J·帕克 ,  T·E·彼得森

IPC: A61B8/00 ,  G10K11/00

CPC classification number: F28D15/00 ,  A61B8/00 ,  A61B8/546 ,  F25B1/00 ,  F25B21/02 ,  F25B25/005 ,  F25B2321/0251 ,  F25D19/006 ,  F28D15/0266 ,  F28D15/0275 ,  F28D2021/0029 ,  F28F13/00 ,  F28F2250/08 ,  H04R9/022

Abstract: 提供了利用设在成像系统(14)中的制冷系统(49)来对超声换能器(15)进行冷却的方法和系统。设在换能器组件(12)中的再循环冷却剂的闭合回路(24)将废热从设在远处的会发热的声部件(15)或有源电子器件传递到设在换能器连接器(26)中的热传导靴块(32)上。各连接器(26)即超声系统连接器(26)和换能器组件连接器(26)中的热传导材料定位成相互接触，从而可在无流体传输的条件下将热量从换能器组件(12)热传导至设在成像系统(14)中的制冷系统(49)上。

公开(公告)号：CN1798987A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015387.2

申请日：2004-05-27

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·P·德萨

IPC: G01S15/00 ,  G01S7/52 ,  G10K11/00 ,  B06B1/00 ,  B06B3/00 ,  A61B8/00 ,  A61N7/00

CPC classification number: B06B1/02 ,  A61B8/00 ,  G01H3/00 ,  G10K11/004

Abstract: 公开了用于使用冗余导线接合来增加超声换能器的可靠性的方法和系统。提供了超声换能器组件，其具有超声换能器、集成电路、多个导线和多个焊接区。集成电路包括扩大的引线区，用于接收冗余的导线接合。超声换能器包括多个焊接区，配置所述焊接区来接收冗余导线接合。连接导线，形成信号通道，将扩大的引线区与焊接区连接。

公开(公告)号：CN1638533A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410092934.9

申请日：1997-07-16

Applicant: 美国技术公司

Inventor： 埃尔伍德·G.·诺里斯

IPC: H04S1/00 ,  G10K11/00 ,  G10K15/02 ,  H04R23/00

CPC classification number: H04S1/002 ,  G10K15/02 ,  H04B11/00 ,  H04R3/02 ,  H04R5/02 ,  H04R23/00 ,  H04R2217/03

Abstract: 本发明涉及由于至少两个超声波列(30，32)相干而从谐振腔(80)发射新的声或次声压缩波。在一个实施例中，向着所述腔定向两个超声发射体(20)。当两个超声波列之间的频率差处于声或次声频率范围内时，就按照声外差原理从干涉腔或区内发射一个这个频率的新声或次声波列。优选实施例是一个由单个超声辐射元件组成的系统，向着发射多个波的腔来定向所述元件。

公开(公告)号：CN1606476A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02825501.1

申请日：2002-11-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·罗宾森

IPC: B06B1/06 ,  G10K11/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: G10K11/002 ,  B06B1/0685 ,  B06B1/0692 ,  B06B2201/76 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明针对用于微型机加工超声换能器(MUT)的改进的结构及此结构的制造方法。在一种实施形式中，基片上的MUT包括形成于基片内而在MUT之下一个位置的声腔。此腔充填的声衰减材料吸收基片中的声波和减少寄生电容。在另一实施形式中，此腔形成于多个MUT之下且充填声衰减材料。在又一实施形式中，声衰减材料基本上密封在介电层上的多个MUT。在再一实施形式中，基片中形成有至少一个单片式半导体电路，它可与MUT可操作地耦合以进行信号处理和/或控制操作。

公开(公告)号：CN1187661C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN98118531.2

申请日：1998-08-27

Applicant: 阿苏拉布股份有限公司

Inventor： J·-P·米格诺特 ,  P·丁尼森

IPC: G04B37/08 ,  G10K11/00

CPC classification number: G10K11/006 ,  G04B37/0075 ,  G04C21/00

Abstract: 该装置包括一个壳体(2)，在该壳体中安装一个声换能器(11)，以便不透水地通过声能与壳体外部联系，声换能器(11)安装在一个膜片(18)的前面，该膜片可以变形并将其以一种不透水的方式与一个布置在所述壳体中并且与外部直接连通的进气室(14，15)分开，另外，在膜片和声换能器之间布置一个中间室(19)，以便容许膜片在外部静压力的作用下变形并由一个支承件(12a)限定在换能器侧，该支承件固定地安装在壳体中并且能在施加外部静压力时限制膜片的变形。

公开(公告)号：CN1126944C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN01144240.9

申请日：2001-12-14

Applicant: 朱遵田

Inventor： 朱遵田

IPC: G01H11/00 ,  H04R17/00 ,  G10K11/00 ,  B06B1/00 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明涉及一种采用同时加热固化法密封传感器的工艺。其密封传感器的工艺依下列步骤依次进行：①在裸体传感器预密封部位涂一层粘接剂，逐个装上模具预热；②灌胶，灌胶后在室温环境中存置，同时去除气泡；③批量置入烘箱，同时加热固化。由于工艺程序合理，消除了各种缺陷的发生，故能大幅度提高成品合格率；仅涂一层粘接剂，工艺简单；占用烘箱少，减少电能消耗，降低投资成本。