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公开(公告)号：CN1617401A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200310116537.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明一种半导体激光器热沉，其中包括：一热沉；一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面；一地电极位于热沉的下表面；一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内，并贯穿金属电极、整个热沉及地电极；一金锡焊料柱位于导通孔内。
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公开(公告)号：CN117976664A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311761049.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 苏州旭创科技有限公司
IPC: H01L23/66
Abstract: 本发明公开了一种高频器件封装组件和高频器件，高频器件封装组件包括高频连接器终端、传输线和高频芯片，传输线的第一侧面上设有信号传输电极，高频芯片的第一侧面上设有高频电极，传输线的第一侧面的一部分朝向高频连接器终端并通过倒装焊的方式使信号传输电极与高频连接器终端电连，传输线的第一侧面的另一部分朝向高频芯片的第一侧面并通过倒装焊的方式使信号传输电极与高频电极电连。本发明的高频器件封装组件使用倒装焊取代了金丝键合或金带键合，降低了封装过程引入的封装寄生参数对高频器件高频性能的影响，提高了对封装寄生参数的可控性，提升了封装后高频器件的带宽性能和工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN117477349A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311422989.0
申请日：2023-10-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明提供一种基于级联萨格纳克环的窄线宽外腔激光器，包括：激光器芯片，被配置为发射第一激光；移相器，被配置为对第一激光的纵模进行相位调控，输出第二激光；级联萨格纳克环结构，作为自注入反馈外腔，被配置为对第二激光的光谱进行调控来压窄第二激光的线宽，出射第三激光，其中，自注入反馈过程中，一部分第二激光经过级联萨格纳克环结构的光部分反馈回移相器和激光器芯片；温控系统，被配置为控制激光器芯片、移相器、级联萨格纳克环结构的温度。基于级联萨格纳克环外腔结构能有效压窄激光器输出线宽，具有设计方便、便于制备、结构紧凑等特点。
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公开(公告)号：CN115047571B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210735681.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光探测器芯片镀膜结构，包括：光探测器芯片，折射率梯度区和增透膜；光探测器芯片包括光敏面；折射率梯度区形成于光敏面上，折射率梯度区包括沿预设方向折射率依次增大的多层膜，预设方向为自折射率梯度区至光探测器芯片的延伸方向；增透膜设置于折射率梯度区上。本发明实施例提供的光探测器芯片镀膜结构，通过设置折射率梯度区，即沿预设方向折射率依次增大的多层膜结构，能够将外部光束耦合至光探测器中，同时使得耦合至光探测器芯片光敏面的光束近似平行，耦合效率较高。
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公开(公告)号：CN113985535B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111266852.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本公开提供了一种用于光模块封装的紫外胶固化时长的确定方法，包括：S1，对需要封装的相同的N个器件分别通过紫外胶进行光路耦合，固化时用同一紫外光照射不同时长，固化后记录封装后N个器件光强的数值大小；S2，对固化后的N个器件分别进行同一机械冲击，并记录各器件机械冲击后的光强数值大小；S3，计算N个器件机械冲击测试前后光强数值的变化差，筛选出变化差小于5％的器件；S4，比较筛选出的器件各自对应的紫外光照射时长，最短的紫外光照射时长即为该器件的紫外胶固化时长。本发明结合光模块生产特点，有效降低紫外光固化时间数秒，提高了生产产能和效率，得出的紫外光固化时间的封装器件具有更高的灵敏度和精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115951508A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211264491.1
申请日：2022-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本公开提供了一种光电子器件阵列封装结构，包括：电光调制器阵列芯片，多组行波电极在电光调制器阵列芯片上平行设置，行波电极的微波信号输入端和微波信号终端均为直线结构；多组传输线，与行波电极一一对应，为直线结构，沿行波电极的延伸方向设置于行波电极的微波信号输入端侧上方，与行波电极的微波信号输入端连接；多组匹配负载，与行波电极一一对应，为直线结构，沿行波电极的延伸方向设置于行波电极的微波信号终端上表面，与行波电极的微波信号终端连接。该光电子器件阵列封装结构避免了传输线弯曲造成的反射与损耗，且易于实现多通道阵列化集成，可满足高带宽和阵列化的小型电光调制器应用需求。
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公开(公告)号：CN111175574A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010004076.7
申请日：2020-01-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R23/14
Abstract: 本发明提供了一种测量系统，包括：光滤波器(3)用于对第一光信号选频，得到选频后的第一光信号；光移频器(4)用于将选频后的第一光信号通过单边带调制，得到调制后的第一光信号；梳妆滤波器(5)用于将第二光信号的光频梳光谱的梳齿幅度进行编码，得到功率失谐的光频梳光谱，功率失谐的光梳频光谱为整形后的第二光信号；还包括：光频梳产生装置(1)、光分束器(2)、合束器(6)、光电探测器(7)以及低频频谱仪(8)。通过光移频器(4)单边调制第一光源、通过梳妆滤波器(5)编码得到的第二光源可以得到待检测的光频率以及高精度测量高频率的微波信号。
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公开(公告)号：CN106788765B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611088806.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/516 , H04B10/54
Abstract: 本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片，该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括：2个单模垂直耦合光栅，2个调制模块，1个2×1多模干涉耦合器，1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作，将偏振复用与波分复用相结合，实现复杂格式调制，提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制，满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制，调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。
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公开(公告)号：CN106549299B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610924314.X
申请日：2016-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装，包括一信号电极，一地电极，一匹配电阻，一电感焊接区和一芯片贴装区。在应用时，偏置电流通过高频电感经电感焊接区注入芯片电极。相比于将电感焊接在匹配电阻与芯片贴装区之间的传统方法，本发明提出的封装结构使得匹配电阻更接近于芯片，有利于改善器件的反射性能；并且有效的减小了电感和传输线之间的寄生电容对器件高频性能的影响，提高了焊接的冗余度，降低了对封装设备的精度要求。
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公开(公告)号：CN108306868A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810052878.8
申请日：2018-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种数据保密通信装置及方法，该装置包括：混合解混模块，用于根据第一密钥对M路第一原始数据和N-M路随机信号进行混合处理，确定N路混合信号；加解密模块，根据第一密钥分别对N路混合信号进行加密，确定N路已加密信号；绑定解绑模块，对N路已加密信号进行绑定处理，确定绑定的N路第一保密信号；和/或对N路第二保密信号进行解绑处理，确定并输出对齐的N路解绑信号至加解密模块进行解密处理，加解密模块根据第二密钥确定并输出N路已解密信号至混合解混模块进行解混处理，混合解混模块根据第二密钥确定并输出L路第二原始数据。本发明能对N路数据进行保密处理，破译难度大；数据由N条信道同时发送，提高了通信系统物理链路的安全性。
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