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公开(公告)号：CN117976664A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311761049.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 苏州旭创科技有限公司
IPC: H01L23/66
Abstract: 本发明公开了一种高频器件封装组件和高频器件，高频器件封装组件包括高频连接器终端、传输线和高频芯片，传输线的第一侧面上设有信号传输电极，高频芯片的第一侧面上设有高频电极，传输线的第一侧面的一部分朝向高频连接器终端并通过倒装焊的方式使信号传输电极与高频连接器终端电连，传输线的第一侧面的另一部分朝向高频芯片的第一侧面并通过倒装焊的方式使信号传输电极与高频电极电连。本发明的高频器件封装组件使用倒装焊取代了金丝键合或金带键合，降低了封装过程引入的封装寄生参数对高频器件高频性能的影响，提高了对封装寄生参数的可控性，提升了封装后高频器件的带宽性能和工艺可靠性。
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公开(公告)号：CN119960124A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311490246.7
申请日：2023-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于光芯片的光互连结构，涉及微波光子学技术领域。该光互连结构包括：输入光纤阵列，用于输入光信号；前端光芯片，设有多个输入端口和多个输出端口，用于处理光信号，前端光芯片的多个输入端口和输入光纤阵列对应连接；互联光纤阵列，一端与前端光芯片的多个输出端口对应连接，用于传输处理后的光信号；后端光芯片，设有多个输入端口和多个输出端口，用于对处理后的光信号进行二次处理，后端光芯片的输入端口和互联光纤阵列远离前端光芯片的一端对应连接；输出光纤阵列，与后端光芯片的多个输出端口对应连接，用于输出二次处理后的光信号。
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公开(公告)号：CN119937215A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510223355.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振谱补偿的硅基调制器芯片，涉及硅基调制器芯片技术领域。基于谐振谱补偿的硅基调制器芯片，包括：第一单元、第二单元和第一支臂，第一单元和第二单元设置在第一支臂上；其中，第一单元用于对输入的第一光束进行调幅和调相处理以输出第二光束，第二光束与第一光束在第一支臂上的传输方向相同；第二单元用于对经调制和调相后的第二光束进行调幅和调相处理以输出第三光束，第三光束与第二光束在第一支臂上的传输方向相向；通过第一单元控制第二光束的幅度和相位，通过第二单元控制第三光束的幅度和相位，以使第二光束和第三光束在第一支臂中发生干涉，以形成线性度可调的谐振谱。
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公开(公告)号：CN119758644A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510018616.X
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于双光束腔场调控的全光非线性激活器，可应用于光计算技术领域。该激活器包括：输入端、光学微腔以及输出端，其中，输入端用于提供输入光束；光学微腔用于产生谐振，激发并增强光学非线性效应；以及输出端用于输出经过非线性调控后的光信号。通过携带相位差的双相干光束对光学微腔内的光场进行非线性调控或对光学微腔光场的传输谱进行非线性调控，从而形成输入光和输出光光强间的非线性映射，即光‑光自调制过程。为全光计算提供有效的非线性算子，从而加速网络训练和推理的收敛速度，提高模型在不同应用中的识别准确率。本发明还提供了一种基于双光束腔场调控的全光非线性激活器的产生方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117572670B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202311555695.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种热光移相器及其制造方法、光芯片，可以应用于光芯片技术领域。该热光移相器包括：衬底；埋氧层，所述埋氧层设置于所述衬底上；包层，设置于所述埋氧层上；牺牲层，设置于所述衬底上，且一部分位于所述埋氧层中，另一部分位于所述包层中，所述牺牲层在所述包层中隔离形成一中间包层；至少一个传输波导，设置于所述中间包层内，且位于所述埋氧层中的一部分牺牲层上和/或所述埋氧层上；热源，设置于所述中间包层内，所述热源位于所述至少一个传输波导上方。可降低热光移相器的π相移功率。
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公开(公告)号：CN118137267A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410275218.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/00 , H01S3/08022 , H01S3/10 , H01S5/00 , H01S5/02253
Abstract: 提供了一种直接调制激光器，其中，包括：激光器本体，用于产生激光光束；驱动芯片，与所述激光器本体连接，用于根据所述激光光束的目标波长，确定供电参数，并按照所述供电参数向所述激光器本体提供驱动信号，所述驱动信号使所述激光器本体在线性区工作，驱动所述激光器本体产生激光光束；第一光学透镜，所述激光光束经过所述第一光学透镜产生的出射光束为平行光束；薄膜多共振腔滤波器，用于将所述平行光束偏离目标波长的光束滤除，提高消光比。该直接调制激光器可以针对信号质量要求可调整的提高消光比，提升调制速率与信号质量。
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公开(公告)号：CN117872544A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410275168.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅‑锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统，涉及光电集成技术领域，包括：硅‑锆钛酸铅晶圆和光电集成系统链路，硅‑锆钛酸铅晶圆包括的硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长，锆钛酸铅薄膜层平行于硅薄膜层并内设于二氧化硅包埋层中部；光电集成系统链路包括第一光路器件、第二光路器件和电路器件，第一光路器件和电路器件设于硅薄膜层上，第二光路器件设于锆钛酸铅薄膜层上；第一光路器件与第二光路器件进行光信号传输，电路器件与第一光路器件、第二光路器件进行电信号传输。本发明能够解决现有纯硅CMOS兼容光电集成系统传输带宽受限的问题。
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公开(公告)号：CN117674980A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311557829.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/07 , H04B10/077
Abstract: 本发明提供一种光模块链路仿真验证系统及方法，涉及光通信的技术领域，该系统包括信号产生单元，用于产生初始电信号；第一信号处理单元，用于对初始电信号进行放大及过滤后输出第一电信号；电光转换单元，用于将第一电信号转化为第一光信号；光信号传输单元，用于将第一光信号进行传输；光电转换单元，用于将第一光信号转化为第二电信号；第二电信号处理单元，用于对第二电信号进行放大及过滤后输出目标电信号；信号输出单元；用于对目标信号的质量进行分析评估。该系统基于紧凑光电子模型和等效基带模型建模思想，将独立的光电子器件性能等效为系统链路中的各个单元，通过各个单元模拟光电子器件对信号传输的影响，提高系统的仿真效率。
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公开(公告)号：CN117671944A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311585895.5
申请日：2023-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G08G1/01 , G06Q10/047 , G06Q50/40 , G06F17/16
Abstract: 本公开提供了一种车辆路径的优化方法、设备、存储介质及程序产品，该方法包括：获取目标区域内的交通路网图；其中，交通路网图至少包括道路长度、车道数、十字路口的信息；获取实际道路上车辆的轨迹信息，将轨迹信息导入交通路网图，生成可视化的交通热力图；其中，轨迹信息至少包括车辆的实时位置、行驶的起点和终点、行驶方向、行驶时速的信息；根据交通热力图建立组合优化数学模型，得到待优化的目标函数；其中，待优化的目标函数包括成本函数和约束条件；将待优化的目标函数转化为伊辛模型形式，对伊辛模型进行求解得到目标区域内优化后的车辆路径。本方法缩短了求解时间，同时提高了求解质量。
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