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公开(公告)号：CN102301425A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201180000965.5
申请日：2011-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 提供能够稳定地工作的电阻变化元件的驱动方法以及实施其方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，通过提供第一极性的电压脉冲，从而使由含氧率不同的两个金属氧化物层层叠而构成的电阻变化层成为低电阻化；以及消去过程，通过提供与第一极性不同的第二极性的电压脉冲，从而成为高电阻化，在第一次至第N次的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw1、第(N+1)次以后的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw2、第一次至第M次的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te1、第(M+1)次以后的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te2的情况下，满足|Vw1|＞|Vw2|且te1＞te2，在第M次的消去过程之后，接着执行第(N+1)次的所述写入过程。
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公开(公告)号：CN101933096A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103512.8
申请日：2009-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供不使构成各存储单元的选择晶体管的尺寸变大，而能够实现稳定的动作的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(200)具备：半导体基板(301)，具有第一导电型的P型阱(301a)；存储单元阵列(202)，具备多个由在半导体基板(301)上形成的电阻变化元件(R11)和晶体管(N11)串联连接而构成的存储单元(M11)等；以及基板偏置电路(220)，在对构成被选择的存储单元(M11)等的电阻变化元件(R11)施加写入用的电压脉冲时，对P型阱(301a)施加偏置电压(VB)，以使其相对于晶体管(N11)的源极及漏极成为顺向。
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公开(公告)号：CN101878507A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200980101172.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 本发明提供能进行稳定动作的电阻变化元件的驱动方法以及实施该方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，将第1极性的写入电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从高向低变化；以及擦除过程，将与该第1极性不同的第2极性的擦除电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从低向高变化；在将第1次到第N次(N大于等于1)的写入电压脉冲的电压值设为Vw1、将第(N+1)次以后的写入电压脉冲的电压值设为Vw2时，满足|Vw1|＞|Vw2|，而且，在将第1次到第M次(M大于等于1)的擦除电压脉冲的电压值设为Ve1、将第(M+1)次以后的擦除电压脉冲的电压值设为Ve2时，满足|Ve1|＞|Ve2|，第(N+1)次的上述写入过程接在第M次的擦除过程之后。
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公开(公告)号：CN101828262A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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公开(公告)号：CN101796640A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200980000536.0
申请日：2009-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 使上部电极和下部电极的形状移位变小了的非易失性存储元件的制造方法，具有以下的工序：按照具有导电性的连接电极层(4)、由非贵金属的氮化物构成且具有导电性的下部电极层(3)、电阻变化层(2)、由贵金属构成的上部电极层(1)以及掩模层(23)的顺序进行堆积；将掩模层(23)形成为规定的形状；以掩模层(23)为掩模，通过进行蚀刻，从而将上部电极层(1)、电阻变化层(2)以及下部电极层(3)形成为规定的形状；以及同时除去掩模层(23)和通过所述蚀刻而露出的连接电极层(4)的区域。
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公开(公告)号：CN101755338A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
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公开(公告)号：CN101636841A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiN x (x为正实数)构成。
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公开(公告)号：CN101627438A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007464.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质是一种具有通过施加电脉冲而电阻变化的非易失性存储元件的非易失性存储装置，其具备实行第一写入的第一写入电路(106)和实行第二写入的第二写入电路(108)。其中，第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。
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公开(公告)号：CN101501852A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029756.7
申请日：2007-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明呈如下结构：在衬底(12)上形成有由金属氧化物材料构成的可变电阻膜(14)被下部电极(13)和上部电极(15)夹着的电阻变化元件(16)；和与该电阻变化元件(16)连接、阻挡层(18)被下部的第一电极层(17)和上部的第二电极层(19)夹着的整流元件(20)。并且，构成为电阻变化元件(16)和整流元件(20)在可变电阻膜(14)的厚度方向上串联连接，阻挡层(18)是具有氢阻隔性的阻隔层。
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公开(公告)号：CN100490180C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580001762.2
申请日：2005-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/7781 , H01L29/78642 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120)；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。
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