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公开(公告)号：CN111965856B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010865004.1
申请日：2020-08-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅波导层、包覆隔离层和功能薄膜层；所述包覆隔离层的折射率低于所述功能薄膜层的折射率，所述包覆隔离层做平坦化处理，且可与所述功能薄膜层键合。本申请采用包覆隔离层代替现有技术中的粘接剂层，一方面，包覆隔离层能够进行平坦化处理，使得靠近功能薄膜层一侧的表面粗糙度减小，能够减少漫反射，从而减少光传输损耗；另一方面，包覆隔离层与功能薄膜层之间以键合的形式结合，保证功能薄膜层的均匀性和完整性。
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公开(公告)号：CN111965857B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010865266.8
申请日：2020-08-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜的制备方法包括：准备绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构的顶层硅上制备保护层前体；用刻蚀法对保护层前体和顶层硅进行刻蚀，形成保护层和硅波导层，其中刻蚀后在保护层和硅波导层中形成凹槽结构，凹槽结构的高度等于保护层厚度和硅波导层厚度之和；在凹槽结构内填充包覆隔离层，并对其进行平坦化，直至与保护层齐平；采用腐蚀的方式去除保护层，再沉积包覆隔离层，并对其平坦化；最后在包覆隔离层上制备功能薄膜层，得到电光晶体薄膜。采用前述的方案，通过保护层保护硅波导层，包覆隔离层厚度可控，表面平整，与功能薄膜层键合，不影响光信号的传播。
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公开(公告)号：CN113223943B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010071169.1
申请日：2020-01-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/18 , H10N30/093
Abstract: 公开了一种压电薄膜复合基板及其制备方法，所述压电薄膜复合基板包括：衬底；压电薄膜层，位于衬底的上表面上；以及隔离层，位于衬底与压电薄膜层之间。隔离层包括具有不同折射率且彼此交替堆叠的多个子隔离层，并且所述多个子隔离层中的每个子隔离层的折射率小于压电薄膜层的折射率。
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公开(公告)号：CN112564662B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202011440172.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种复合衬底及其制备方法、电子元器件，其中，所述复合衬底从下至上依次包括：衬底层，多晶层，绝缘层和薄膜层；其中所述多晶层具有2个及以上晶粒构成的晶粒团簇。上述方案中，通过在绝缘层与衬底层之间设置具有晶粒团簇结构的多晶层，晶粒团簇内形成的大量缺陷可以捕获带电的载流子，载流子在晶界处的聚集形成了晶粒之间的势垒，限制了载流子在晶粒之间的移动，进而可以降低绝缘层与半导体层间的界面导电，降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN115207206B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211125224.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/08 , C30B31/22 , C30B33/02
Abstract: 本申请属于半导体材料领域，具体提供一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法，所述制备方法在进行离子注入分离后，采用两步退火法对剥离所得单晶复合薄膜进行退火处理，并且，在退火前在压电薄膜的表面设置隔离层，从而一方面降低单晶压电薄膜的锂损失，另一方面抑制在退火过程中，由单晶压电薄膜分解所得氧化锂的外逸，进而使制得的单晶压电薄膜中的压电材料保持近化学计量比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112542379B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011431053.0
申请日：2020-12-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/3213 , H01L41/187 , H01L41/332
Abstract: 本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件，包括：由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入，在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理或机械拉扯处理，使余质层从第一键合体上剥离，得到第二键合体，第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理。利用薄膜层内存在晶格损伤，从而薄膜层的物理特性有所衰减，因此，在退火处理前，按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，可以大大降低刻蚀难度，提高刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN112259677B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011119370.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/312 , H01L41/331 , H01L41/18
Abstract: 本申请公开一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，方法包括：在基底层顶表面形成与目标薄膜图案相同的图案保护层，以及裸露区；对裸露区表面处理，使裸露区的表面粗糙度大于或等于0.5nm；去除图案保护层，得到处理后的基底层，利用离子注入法和键合分离法，在处理后的基底层顶表面形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。本申请通过在薄膜层与处理后的基底层键合分离时，由于裸露区和键合区的粗糙度不同，而在粗糙度较小的键合区上形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的图案薄膜层，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
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公开(公告)号：CN112259676B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011119363.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/312 , H01L41/331 , H01L41/18
Abstract: 本申请公开一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，包括对基底裸露区表面粗糙处理，使基底裸露区的表面粗糙度大于或等于基底层顶表面与薄膜基体顶表面键合分离的粗糙度临界值；由薄膜基体顶表面向薄膜基体内注入离子，在薄膜裸露区对应的薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层的表面图案与目标薄膜图案相同；将处理后的薄膜基体顶表面与处理后的基底层顶表面键合；对键合体热处理，得到具有图案的薄膜键合体。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在处理后的基底层上制备出图案表面完好的薄膜层，并且制备工艺简单，不需要对薄膜层进行刻蚀处理，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
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公开(公告)号：CN112259675B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011119349.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/312 , H01L41/331 , H01L41/18
Abstract: 本申请公开的一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，包括：在薄膜基体顶表面制备图案保护层，薄膜基体顶表面的裸露区形成的图案与目标薄膜图案相同；向薄膜基体内进行离子注入，由于图案保护层的保护作用，只在薄膜基体内形成与目标薄膜图案相同的薄膜层；去除图案保护层，在薄膜基体顶表面形成非离子注入区，并对所述非离子注入区表面粗糙处理；利用键合分离方法，在基底层上直接形成具有与目标薄膜图案相同的薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的薄膜层，并且制备工艺简单，不需要对薄膜层进行刻蚀处理，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
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公开(公告)号：CN112787618B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011562159.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种压电衬底、制备方法及电子元器件，包括：由上至下依次层叠的压电层、低声速层和高声速层，低声速层的声速小于高声速层的声速；在高声速层中靠近低声速层预设距离制备有散射层；其中，所述散射层包括呈散点分布的微粒，所述散射层中微粒的声速小于所述高声速层的声速。当声波信号遇到低声速层和高声速层界面附近一个个低声速微粒时，会产生较强的散射，而且散射效果与声波信号频率有关，声波信号频率越大，散射作用越强，散射会使声波信号产生损耗，因此散射层可以抑制高频率下的谐振强度，从而解决高频声波信号对目标声波信号的干扰问题。
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