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公开(公告)号：CN108539009B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201810644600.X
申请日：2018-06-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H10N30/85 , H10N30/072 , H10N30/093 , B82Y30/00
Abstract: 提供了一种纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间，其中，第一过渡层包含一定浓度的H元素。
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公开(公告)号：CN111487791B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202010325876.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种集成光学复合基板，包括：单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层、有源层、光传输层和光调制层，其中，所述单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层和光调制层依次叠加；所述有源层嵌入所述第二隔离层，所述光传输层嵌入所述第三隔离层；所述第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层的折射率均小于所述光传输层和所述光调制层的折射率。以解决现有光学基板在用于制备光集成器件时，需要外加光源，增加了光集成器件的体积以及使得器件制备工艺流程变得复杂的问题。
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公开(公告)号：CN113534336B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202010311501.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。
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公开(公告)号：CN111769042B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010680105.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H10N30/08
Abstract: 本申请公开了一种离子注入的方法，所述方法通过在离子注入机中加增电子发生器，利用所述电子发生器所产生的电子束对注入片/压电晶片进行电子轰击，电子束中的电子能够与由于热释电效应而形成于注入面表面上的正离子相互作用，从而抑制由于压电晶片的热释电效应形成环形山纹样，进而提高注入片以及由所述注入片获得的压电薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN112951709B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110113127.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112379480B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011289162.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜，其中，所述波导结构复合衬底的制备方法包括在衬底层上制备波导层前体；在所述波导层前体上制备移除层前体；在所述移除层前体上进行刻蚀，形成移除层；在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同，其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构，所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度；在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料；去除所述移除层；继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底。采用上述方案，缩短复合衬底的制备时间，提高复合衬底的制备效率。
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公开(公告)号：CN112490349B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011348841.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：在衬底层上制备隔离层；利用离子注入法和键合法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述隔离层上制备功能薄膜层；其中，在采用键合法将所述隔离层与薄膜基体键合后，在所述薄膜基体内形成压应力，并且在所述隔离层内形成拉应力，进一步通过对薄膜基体和隔离层施加机械压应力或机械拉应力的方式，或者利用隔离层与薄膜基体自身的热膨胀系数，控制键合前后的温度，从而在隔离层与薄膜基体内形成互相牵制的压应力和拉应力，以实现提高隔离层与薄膜基体折射率差的目的，其制备方法简单，并且不需要挖掘折射率差更大的两种材料，仅用现有的常规材料即可。
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公开(公告)号：CN114122250A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111412421.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/337 , H01L41/187
Abstract: 本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。
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公开(公告)号：CN113927472A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010668755.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种用于改善晶圆抛光厚度均匀性的装置，包括补偿件，所述补偿件包括切边和弧形边，其中，所述切边与待抛光晶圆的大切边对齐后，所述补偿件与所述待抛光晶圆拼接成完整的圆形，所述补偿件的厚度与所述待抛光晶圆的厚度差大于等于‑0.04mm，且小于等于0.04mm。采用与待抛光晶圆大切边空缺部分配合的补偿件，补偿待抛光晶圆大切边与其它边缘的形变差异，对大切边位置处的受力进行平衡补偿，使待抛光晶圆大切边与其它边缘在抛光时受力一致，从而减小了大切边与其它边缘抛光后的厚度差，提高了整个晶圆的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN112688658B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011565471.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种压电衬底、制备方法及电子元器件，包括：由上至下依次层叠的压电层、低声速层和高声速层，所述低声速层的声速小于所述高声速层的声速；在所述低声速层中制备有散射层，其中，所述散射层包括呈散点分布的微粒，所述散射层中微粒的声速大于所述低声速层的声速。当声波信号遇到低声速层和高声速层界面附近一个个高声速微粒时，会产生较强的散射，而且散射效果与声波信号频率有关，声波信号频率越大，散射作用越强，散射会使声波信号产生损耗，因此散射层可以抑制高频率下的谐振强度，从而解决高频声波信号对目标声波信号的干扰问题。
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