公开(公告)号：CN1075891C

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN96197214.9

申请日：1996-09-23

Applicant: 国家航空与空间研究事务局

Inventor： 奥利维尔·勒·特劳恩 ,  丹尼斯·詹尼奥德 ,  瑟奇·马勒

IPC: G01P15/10

CPC classification number: G01P15/097 ,  G01P2015/0828

Abstract: 一种单体加速度传感器包括：一固定部；两个可动质量部和一个端部固定于所述可动质量部的谐振子；一个围绕这两个可动质量部的柔性框架；以及两个将该框架连接于第二可动质量部和连接于固定部的连接件。框架在谐振子和固定部之间提供一个机械滤波器，且固定部不受谐振子振动的影响。谐振子的品质因数Q值不降低且由此传感器提供的测量更精确。在一个差分输出加速度计中，传感器的位置由另一个传感器的位置导出，相同传感器绕平行于谐振子的一条轴线转动180°，这些传感器的多个固定部固定在一起。

公开(公告)号：CN1321243A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN00801886.3

申请日：2000-07-07

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 上野亨 ,  森和也 ,  吉田哲男

IPC: G01L1/14 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01B7/22 ,  G01L1/142 ,  G01L1/144 ,  G01L1/148 ,  G01L3/106 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本发明的静电电容式变形传感器包括基板(119)和该基板上形成的二个交叉指型－对电极式电容器(209,209A)。该基板(119)在具有平面(或曲面)的弹性体的表面上,形成由厚度大致一致、介电常数随变形而变化的材料形成的电介质层膜(129)。另外,基板(119)在一个端部上固定了阻止变形的发生的部件(318),在另一端部固定了重物(329)。各交叉指型－对电极式电容器(209,209)在基板的表面上将成对电极组合成交叉指型而形成,该成对电极是将多个线状导电体作为平行的线状电极形成的。在静电电容式变形传感器中,在通过块(318)固定的基板(119)上形成一个交叉指型－对电极式电容器(209A)作为基准电容器,将其用于另一个交叉指型－对电极式电容器(209)的温度校正。为了检测另一方向的变形,线状电极的交叉指型中的指的方向大致互相垂直,或使形成交叉指型中的指的线状电极相对于平板的中心大致呈同心圆形状。另外,在弹性体为圆柱形的场合,将多个线状电极作为交叉指型中的指,该多个线状电极按照与中心轴方向大致倾斜45度且交错地嵌入的方式平行地呈螺旋状延伸,此外,通过形成与该线状电极的延伸方向成90度的另一对电极图形,可有效地检测反向的扭转量。静电电容式传感器通过将交叉指型－对电极式电容器作为振荡电路的元件而装入,可将随弹性体的变形产生的变形的值转换为静电电容的变化,还可容易地将其转换为频率变化,由于经转换的频率可精细地抽出,故可容易检测变形的细微变化。

公开(公告)号：CN1046038A

公开(公告)日：1990-10-10

申请号：CN90101471.0

申请日：1990-02-27

Applicant: 森德斯特兰德数据控制公司

Inventor： 布赖恩·L·诺林格

IPC: G01L1/00 ,  G01L9/00 ,  G01P15/02

CPC classification number: H01L41/1132 ,  G01L1/162 ,  G01L1/183 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/0975 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本发明为一种包括由晶体基底形成的单元体的拉—压力传感器。主体包括第一和第二固定元件用以将力传感器固定于第一和第二构件，且第一和第二敏感元件连接于固定元件。每一力敏感元件包括有第一和第二端部。第一力敏感元件的第一端部连接于第二固定元件，第二端部连接于第一固定元件。第二力敏感元件的第一端部连接于第一固定元件，第二端部连接于第二固定元件。

公开(公告)号：CN1033110A

公开(公告)日：1989-05-24

申请号：CN88107822

申请日：1988-11-09

Applicant: 外沙拉股份公司

Inventor： 阿里·利托 ,  卡勒沃·雅平伦 ,  安娜-迈雅·卡尔凯伦

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: 容性加速度计及其制造方法。该加速度计包括两个有固定侧面电极4，6′的侧面电极构件15和装有中心电极17的中心电极构件16，构件16包括一平行于构件15的平面主体件3其中保留在15之间的部分加工成靠近4，6′处有一个贯穿主件3呈U形且描成悬臂状电极17的槽，电极17平行于主件3而使17的端部1比所述3的部分细，以在电极4，6′与17之间形成间隙7，且与3形成整体的构件16的杆件2实质上比端部1细，以使17具有挠曲性。本发明的传感器结构易于成批生产。

公开(公告)号：CN201737690U

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201020297206.2

申请日：2010-08-11

Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本实用新型揭示了一种MEMS传感器，包括单晶硅片、覆盖在单晶硅片上的单晶硅薄膜及形成在单晶硅薄膜上的压阻，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触，该单晶硅薄膜不会在后续的刻蚀或腐蚀工艺中受到影响，进而使该单晶硅薄膜厚度的一致性与均匀性容易控制。

公开(公告)号：CN204154738U

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201390000401.6

申请日：2013-04-18

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 今中崇 ,  相泽宏幸 ,  横田武志

IPC: G01P21/00 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18

CPC classification number: G01P21/00 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本实用新型提供一种惯性力传感器，其具备：固定部、与固定部连接的梁部、与梁部的另一端连接且在通过惯性力使梁部变形的同时进行移位的锤部、设置于锤部的导电部、设置于梁部来检测梁部的变形的应变电阻、设置于固定部的第一和第二故障诊断电极、经由梁部来连接第一故障诊断电极与导电部的第一故障诊断布线、以及经由梁部来连接第二故障诊断电极与导电部的第二故障诊断布线。该惯性力传感器即使在锤部发生裂化时也不会持续输出错误的输出信号，具有高可靠性。