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公开(公告)号：CN119372605A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411591235.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)
Abstract: 本发明公开了一种适用于水冷聚变堆的耐腐蚀功能涂层及其制备方法，所述耐腐蚀功能涂层自基体表面向外分别为打底层Cr、中间层CrAl及外界屏蔽层CrAlN。本发明采用多弧离子镀法在聚变堆结构材料表面沉积Cr/CrAl/CrAlN耐腐蚀功能涂层，所得涂层致密性好、附着强度高且耐久性好，具备优异的抗腐蚀功能和抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN119368909A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411503400.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钽钛环组件的焊接方法、锅型靶材组件及其焊接方法，具体涉及金属焊接技术领域，所述焊接方法包括：将钽环和钛环进行装配，之后进行热等静压，得到钽钛环组件；其中，所述装配所得装配体中钽环和钛环的装配间隙＜0.2mm；所述热等静压的保温温度为600‑800℃。本发明提供的焊接方法，通过采用特定设计的焊接过程控制参数，实现了钽环和钛环的高效焊接，保证了后续法兰和锅型靶材进行焊接时的连接强度，有利于提升锅型靶材组件的利用率。
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公开(公告)号：CN119368752A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411503136.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种低氧钨硅合金粉末及其制备方法和钨硅合金靶材。所述制备方法包括以下步骤：(1)将钨粉和硅粉混合，进行球磨，得到球磨料；(2)将所述球磨料和金属Ca颗粒混合，进行氧化还原反应，得到反应产物；(3)将所述反应产物进行后处理，得到低氧钨硅合金粉末。本发明通过将球磨后的球磨料与金属Ca颗粒混合进行氧化还原反应，不仅降低了钨硅合金粉末中的氧含量，而且制得的钨硅合金粉末具有高致密性、富WSi2相等优点。基于此制备的钨硅合金靶材相较于传统方法制备的钨硅合金靶材性能更为优异。
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公开(公告)号：CN119351960A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411494237.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种AlSc合金靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：熔炼Al原料与Sc原料，得到圆柱形Al‑Sc铸锭；所得圆柱形Al‑Sc铸锭进行扒皮处理，然后进行气雾化制粉，得到粉料；所得粉料经筛分后，依次进行冷等静压成型与热等静压烧结，得到所述AlSc合金靶材。本发明提供的制备方法首先采用熔炼的方法得到圆柱形Al‑Sc铸锭，保证了高纯度；随后坩埚气雾化制粉得到合金粉料，有效避免了氧含量的增加；最后通过依次进行的冷等静压成型与热等静压烧结得到AlSc合金靶材，无需进行塑性加工，减少了靶材开裂的风险。
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公开(公告)号：CN119351943A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411450336.8
申请日：2024-10-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种低内应力的硬质TiAlSiN复合涂层及制备方法，所述复合涂层包括依次沉积于基体表面的TiN打底层、AlTiN层和TiAlSiN层，沉积后初次冷却，再使用低能离子轰击涂层，末真空退火后二次冷却。与现有技术相比，本发明内应力较低、保持高硬度的同时还具有良好的韧性，具有优异的摩擦学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117024126B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202311037087.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 洛阳汇晶新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B41/80
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池氧化镍靶材的制备工艺，包括制粉、混合、压制、烧结、加工和表面氧化等步骤，通过对氧化镍靶材进行表面气体氧化，通过高压直流电，使阴离子向阳极移动，并在表面氧化过程中使用氩气在等离子环境中造成氩离子，利用氧化镍靶材表面造成的自偏压作用对氧化镍靶材进行溅射，消除在表面吸附的外来分子，高能Ar等离子体引发NiO和Ni(OH)2的低价态到Ni≥3+的高价态的氧化过程，Ni3+有利于提高电池的半导体性能，同时通过还原选择性地消除有害的Ni4+，避免不稳定的Ni4+由于其强氧化性能腐蚀钙钛矿层，延长了太阳能电池的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112335024B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980039953.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H10D30/67 , H10H20/817
Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。
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公开(公告)号：CN119332205A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310889542.8
申请日：2023-07-18
Applicant: 浙江苏泊尔家电制造有限公司
IPC: C23C14/06 , C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A47J36/02 , A47J36/04 , A47J27/00
Abstract: 本申请公开了一种复合片材、内胆、烹饪器具和复合片材的制造方法。复合片材包括金属基体和镀膜。镀膜通过物理气相沉积附着于金属基体的表面，其中镀膜包括表层，表层构造为通过物理气相沉积生长成的柱状纳米晶体结构层。根据本申请的复合片材，在金属基体上通过物理气相沉积形成具有柱状纳米晶体表面结构的镀膜，能够同时获得高表面硬度、高附着力、高不粘性以及高易清洁性。
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公开(公告)号：CN119328426A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411354980.5
申请日：2024-09-27
Applicant: 西安理工大学
Abstract: 本发明公开的纯钛溅射靶的表面处理方法，处理方法包括依次进行的初步处理、车削处理、砂纸处理、帆布处理和绒布处理；初步处理为对纯钛靶材依次进行除油、清洗、干燥处理；车削处理为对初步处理后的纯钛靶材进行车削；砂纸处理包括依次进行的600#砂纸处理和800#砂纸处理；帆布处理为通过不同粒度的研磨膏对纯钛靶材进行帆布处理；绒布处理为在抛光盘上采用绒布进行抛光，并在抛光过程中添加二氧化硅抛光液。本发明的纯钛溅射靶的表面处理方法，解决了现有表面处理技术容易形成变形层且产生变形孪晶，导致溅射靶表面粗糙度极值差较大的问题。
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公开(公告)号：CN119306490A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411236378.1
申请日：2024-09-04
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/457 , C04B35/64 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种RPD靶材的制备方法和RPD靶材。RPD靶材的制备方法步骤包括：以ITO废靶和ITO废靶坯为原料，分别制备得到ITO废靶粉和ITO废靶坯粉，将所述ITO废靶粉和ITO废靶坯粉混合得到混合粉末后，进行素坯成型、排胶和烧结的步骤，其中，所述ITO废靶为经过烧结的ITO废旧靶材，所述ITO废靶坯为未经烧结的ITO废旧靶材。本发明还提供了一种RPD靶材。
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