公开(公告)号：CN119731367A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380062783.3

申请日：2023-08-09

Applicant: 住友化学株式会社 ,  株式会社丰岛制作所

Inventor： 黑田稔显 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  岩谷幸作

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/495 ,  H10N30/076 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其由包含钾、钠、铌以及氧的氧化物的烧结体构成，密度为4.2g/cm3以下，维氏硬度为30以上且200以下，在溅射面观察到的多个晶粒的面积平均粒径为3.0μm以上。

公开(公告)号：CN104204283A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015355.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社丰岛制作所

Inventor： 武富雄一 ,  田尾幸树 ,  金丸守贺 ,  坂井健二 ,  长谷山秀悦 ,  菊山英志

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B28B3/025 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/26 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M6/40

Abstract: 本发明提供一种含Li过渡金属氧化物烧结体，其作为杂质元素的Al、Si、Zr、Ca以及Y被抑制为Al≤90ppm、Si≤100ppm、Zr≤100ppm、Ca≤80ppm、Y≤20ppm的范围内，并且满足相对密度为95％以上以及电阻率小于2×107Ωcm。根据本发明，能够不产生异常放电地、稳定地以高成膜速度成膜为作为二次电池等的正极薄膜来说有用的含Li过渡金属氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN1668776A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816304.7

申请日：2003-07-18

Applicant: 工程吸气公司 ,  株式会社丰岛制作所

Inventor： 依田孝次 ,  田崎雄三

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/409

Abstract: 在使用液源CVD法的PZT薄膜制备中，用四[异丁酰基新戊酰基甲烷]锆作为锆前体，能够在较宽的基底温度范围内获得恒定组成比例的膜，并且不必在膜制备后再热处理。因此本发明提供了具有稳定质量的低成本PZT薄膜。