公开(公告)号：CN119731367A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380062783.3

申请日：2023-08-09

Applicant: 住友化学株式会社 ,  株式会社丰岛制作所

Inventor： 黑田稔显 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  岩谷幸作

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/495 ,  H10N30/076 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其由包含钾、钠、铌以及氧的氧化物的烧结体构成，密度为4.2g/cm3以下，维氏硬度为30以上且200以下，在溅射面观察到的多个晶粒的面积平均粒径为3.0μm以上。

公开(公告)号：CN104078560B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410048610.9

申请日：2014-02-11

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板，其使用非铅系压电体，可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于，是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3，0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z≤1、x＋y＋z=1)形成，前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。

公开(公告)号：CN103325937B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310076574.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 渡边和俊 ,  柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L41/18 ,  G01B11/0625 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。

公开(公告)号：CN103219460B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310023655.6

申请日：2013-01-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/047 ,  B41J2/14

CPC classification number: H01L41/18 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方

公开(公告)号：CN104851972B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201410498351.X

申请日：2014-09-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/277

Abstract: 一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×1017atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN104064670B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410101620.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  野口将希 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/113

CPC classification number: H01L41/0805 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供可以降低压电薄膜层的相对介电常数的压电薄膜元件、压电传感器和振动发电机。压电薄膜元件（1）具备：基板、形成于基板上的下部电极层（20）、形成于下部电极层（20）上的组成式为（K1‑xNax）NbO3（0.4≤x≤0.7）的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜层（30）、以及形成于压电薄膜层（30）上的上部电极层（40），压电薄膜层（30）在将极化‑电场的磁滞回线与表示电场的x轴的交点设为Ec‑和Ec+时，（Ec‑+Ec+）/2的值为10.8kV/cm以上，并且，在将极化‑电场的磁滞回线与表示极化的y轴的交点设为Pr‑和Pr+时，（Pr‑+Pr+）/2的值为‑2.4μC/cm2以下。

公开(公告)号：CN103579491B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310340890.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/35

CPC classification number: H01L41/18 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0