公开(公告)号：CN113707366B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202010430045.8

申请日：2020-05-20

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 倪玉河 ,  胡瑞沧 ,  王德民 ,  簡鉦茂

IPC: H01B5/00

Abstract: 一种馈通装置，包括具有至少一个导线孔洞的一中介板，在此每一个导线孔洞都可以让至少一导线自中介板的一侧贯穿通过其间而抵达中介板的另一侧，也都可以再有一个由绝缘材料所形成弹性垫子位于其中并且隔离开中介板与通过此导线孔洞的至少一导线，并且每一条导线都包含了用以传递电流的导体线以及围绕包覆导体线的绝缘材料层。在每一个导线孔洞的内部，通过其间的一或多导线的绝缘材料层或者位于其间的弹性垫子，会受到压力而发生形变，进而使得导体线与中介板之间并不存在气体可以通过的空隙。

公开(公告)号：CN115398593A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180012179.0

申请日：2021-01-29

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 陈建利 ,  S·R·华勒

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开总体上涉及离子注入，并且更具体地，涉及用于测量离子注入系统内的晶圆的温度的系统和方法。一种示例性的离子注入系统可包括机械手臂、一个或多个负载锁定腔室、注入前站、离子注入机、注入后站和控制器。所述注入前站被配置成在通过所述离子注入机将离子注入晶圆之前加热或冷却所述晶圆。所述注入后站被配置成在通过所述离子注入机将离子注入晶圆之后加热或冷却所述晶圆。所述注入前站和/或注入后站被进一步配置成测量晶圆的当前温度。所述控制器被配置成控制上述各种部件和方法，并基于从所述注入前站和/或注入后站接收的信息来确定晶圆的当前温度。

公开(公告)号：CN108878303B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201810263323.8

申请日：2018-03-28

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 吴志强 ,  康畯钦 ,  倪玉河 ,  冯建大

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种监测晶圆电荷的装置与方法。一导电针、一导电弹簧和一导电线被串联地配置而连接晶圆背表面以及样本导体进而使得晶圆背表面与样本导体表面具有相等的电荷密度。因此，可借用位置靠近样本导体表面的静电传感器来监测晶圆上的电荷。注意出现在晶圆前表面的电荷会在晶圆背表面引发电荷。通常，样本导体是片状导体并且与周围环境被适当地隔离。通常，样本导体和静电传感器皆是位于放置与处理晶圆的反应室的外部，借以简化反应室内部装置以及减少污染危险。

公开(公告)号：CN111069188A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910976570.7

申请日：2019-10-15

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 苏义翔 ,  史蒂芬·R·瓦尔特 ,  黄启铭 ,  吴志强

IPC: B08B7/04 ,  B08B7/00 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提出三种方式来处理氟化表面，其为离子布植机内部不可忽略的问题，并且在低能量含氟离子束被布植到碳表面及/或硅表面时会变得更严重。第一，引导氢气及/或含氢离子(原子的及/或分子的)到含氟表面，藉以使得氟键结被氢键结所取代，并进而让含氟颗粒被移除。第二，布植硼离子束(特别是具有清洁配方的硼离子束)到氟化表面，藉以使得含氟颗粒被移除。第三，调整(通常是加热)氟化表面的温度到一个温度范围，藉以使得氟键结被弱化而使得这些含氟颗粒容易被挥发而被移除。可选择地，这些含氟颗粒可以连续地、交替地或弹性地被抽真空移除。

公开(公告)号：CN109755087A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910044343.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 盛天予

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/20

Abstract: 本发明是有关于离子布植机。所述离子布植机整合了用来夹持工作件的夹盘以及用来监控离子束的监控器。因此，可以在布植模式与监控模式之间来回切换，并且在不同模式间切换所需使用的装置及/或操作可以被简化。详细来说，夹盘与监控装置可以分别放在本体的不同表面，使得通过本体沿着与离子束的路径相交的一轴来旋转，夹盘跟监控器可以分别面向离子束。因此，可以确切地同步地监控在夹盘夹持工作件的位置(也是工作件被离子束布植的同一位置)的离子束的一个或多个特征植。监控器的细节不在此限制，任何可以被配置来测量离子束特征的既有及/或开发中的装置都可用来监控。本发明可改善数据采集的效率、准确度以及可靠度，并且减少颗粒污染的可能来源。

公开(公告)号：CN106373845B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610350373.0

申请日：2016-05-24

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 苏科缙 ,  张国忠 ,  黄伟铨 ,  吴铭伟 ,  薛丞宏 ,  林明杰

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 一种镧系元素离子源的产生方法，包括下列步骤：加热一种或多种非气态的镧系元素化合物，使得该一种或多种非气态的镧系元素化合物转变为气态；传送一种或多种气态镧系元素化合物传送至该电弧室；传送至少一种支持气体传送至该电弧室；提供能量予该电弧室，使含有镧系元素离子的电浆形成于该电弧室中；以及将镧系元素离子自含有镧系元素离子的该电浆中萃取出来形成镧系元素离子束。

公开(公告)号：CN107030064A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610946708.5

申请日：2016-10-26

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 倪玉河 ,  康畯钦 ,  杨捷仁

IPC: B08B7/00 ,  B08B11/04 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/30 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/20 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/30466 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  B08B11/04 ,  H01L21/6831

Abstract: 一种清洁静电吸盘的方法。在静电吸盘并未固持任何工件于其工作表面时，传输离子束至静电吸盘的工作表面，借以通过离子束与工作表面上沉积物的相互作用，像是物理性轰击及/或化学性结合，将沉积物自静电吸盘工作表面移除。借此，在静电吸盘并未固持工件时出现在静电吸盘工作表面的沉积物，不论是自工件脱落的光阻剂或是漂浮于制造过程反应室的颗粒等等，对于静电吸盘与工件之间实际固持力量的影响得以改善。离子束的电流量、能量与离子种类皆可以视沉积物的结构、厚度与材料等而定，像是使用低能量离子束以减少损伤静电吸盘工作表面的可能性，像是使用氧离子或是惰性气体离子等来一面移除沉积物又一面减少对静电吸盘工作表面的电介质层导电性的影响。

公开(公告)号：CN103811248B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410083953.9

申请日：2011-03-17

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 万志民 ,  约翰·D·波拉克 ,  唐·贝瑞安 ,  任克川

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: 本发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。

公开(公告)号：CN106057673A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610194708.4

申请日：2016-03-31

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 邓念濠 ,  万志民 ,  李静宜 ,  林哲平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明揭露一种在鳍式场效晶体管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效晶体管击穿中止区域。

公开(公告)号：CN105826153A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610051333.6

申请日：2016-01-26

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 安瓦尔·侯塞因 ,  凡立瑞·立特瓦克

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67213 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67739

Abstract: 本发明一实施例的一种离子植入机包含一处理室、一前开式晶圆传送盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)及一温度处理组件。在处理室中，一工件可依离子植入配方被植入离子。前开式晶圆传送盒能将工件送入或送出处理室。温度处理组件包含一真空室、一加热模块及一冷却模块。真空室与处理室连通，且真空室具有一加热空间及一相邻于加热空间的冷却空间。加热模块从加热空间的一侧安装于真空室，用于将位于加热空间的工件加热到一第一温度；而冷却模块安装于冷却空间，用于将位于冷却空间的工件冷却到一第二温度，其中第二温度不同于第一温度。同时揭露种一离子植入方法。