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公开(公告)号：CN103811248B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410083953.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
Abstract: 本发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996871B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201010145124.0
申请日：2010-03-31
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/00 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法，首先，在晶圆上形成带状的离子束，其中，带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度，在此，长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后，沿着通过离子束的一扫描路径，以一移动速度移动晶圆中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中，当晶圆通过离子束时，此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖，且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数，或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。
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公开(公告)号：CN103824744A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410083952.4
申请日：2011-03-17
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
Abstract: 本发明提供一种在一衬底上利用一离子束以及一可变孔隙来进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
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公开(公告)号：CN102208320A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110072190.4
申请日：2011-03-17
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
Abstract: 一种具有可变孔隙的孔隙调整装置，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
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公开(公告)号：CN103811248A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410083953.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
Abstract: 本发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
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公开(公告)号：CN101996871A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010145124.0
申请日：2010-03-31
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/00 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法，首先，在晶圆上形成带状的离子束，其中，带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度，在此，长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后，沿着通过离子束的一扫描路径，以一移动速度移动晶圆中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中，当晶圆通过离子束时，此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖，且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数，或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。
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