公开(公告)号：CN105723247B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480062577.3

申请日：2014-11-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀

IPC: G01T1/34

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30472

Abstract: 提供了一种离子注入系统和方法，其中，离子源产生离子，质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束，其中，束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流，其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流，其中限定与时间相关的离子束电流，以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓，其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。

公开(公告)号：CN103021775B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210098146.5

申请日：2012-04-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃至鸿 ,  张钧琳 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了束监控器件、方法和系统。一种示例性束监控器件包括一维(1D)轮廓仪。该1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第件。该束监控器件进一步包括二维(2D)轮廓仪。该2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第件。该束监控器件进一步包括控制臂。该控制臂可操作地便于在纵向方向上移动束监控器件，以及便于绕轴旋转束监控器件。

公开(公告)号：CN103367088A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310106485.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 狩谷宏行 ,  石川雅基 ,  院田佳昭 ,  黑濑猛 ,  八木田贵典 ,  弓山敏男

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/147 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24521 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213

Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。

公开(公告)号：CN101681781B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880013320.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： A·V·海斯 ,  R·叶夫图霍夫 ,  V·卡纳罗夫 ,  B·L·德吕

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/24542

Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。

公开(公告)号：CN101901733B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010001016.6

申请日：2010-01-18

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 任克川 ,  杨允儒 ,  万志民

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明是有关于一种离子布植机与调整离子束形状的方法，当离子束自分析磁铁单元输出之后，至少有一组棒状磁铁用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹，因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外，每一棒状磁铁仅由一电源提供电源，该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。本发明提出一种新颖的离子布植机与一种新的调整离子束的方法以有效并经济地调整离子束的形状而无须针对传统离子布植机的构造进行大幅或昂贵的修改，非常适于实用。

公开(公告)号：CN101076875B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580033847.9

申请日：2005-10-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张升吾 ,  安东尼勒·可雀帝 ,  约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  葛列格里·R·吉本雷洛 ,  罗扎里欧·马雷卡 ,  葛桔·A·洛里斯 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  马黎耶·J·威尔旭

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。

公开(公告)号：CN101110334A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710136092.6

申请日：2007-07-17

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： E·科拉特 ,  R·D·戈德堡 ,  C·伯吉斯

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24465 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30477

Abstract: 本发明涉及一种用于离子注入机的挡束器，其提供对入射于其上的离子束流的测量且可用于离子束优化。所提供的离子注入机的挡束器包括电荷收集器，其配备有分段表面以接收其上的离子束，其中所述表面被分成至少两端，一段绕另一段延伸，且其中两段中的每一段可用于当离子束入射于其上时，提供指示该段所收集的电荷的一个或多个信号。这样的挡束器是有利的，原因是其提供了离子束分布信息而无需扫描离子束。

公开(公告)号：CN1942829A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011820.X

申请日：2005-06-02

Applicant: 日本先锋公司

Inventor： 小岛良明

IPC: G03F7/20 ,  G11B9/10 ,  H01J37/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/3045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B7/261 ,  G11B9/10 ,  G11B11/10582 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/317

Abstract: 在电子束记录装置的记录之前进行的射束位置变动的测定时，能够进行稳定且准确的变动量的测定。在记录之前测定射束点(Ep)的位置变动的测定装置(10)，具备：刀口(11)，其配置在射束点(Ep)的照射位置；检测单元(法拉第杯(12)等)，其检测通过刀口(11)照射的电子束(E)；滤波器单元(高截止滤波器(14)等)，其从该检测单元的输出中除去测定对象的变动频率成分；以及控制单元(15)，其根据该滤波器单元的输出，控制电子束(E)的基准位置，使得射束点(Ep)的中心位于刀口(11)的末端位置，测定装置(10)根据射束点(Ep)的中心从刀口(11)的末端偏离时的检测单元的输出变化，测定射束点(Ep)的位置变动。

公开(公告)号：CN108428609A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810081984.9

申请日：2018-01-29

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 川浪义实

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/10 ,  H01J37/1471 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542 ,  H01J37/04

Abstract: 本发明提供会聚离子束装置，其能够高精度地进行发射尖锥的末端的调整而不会使FIB光学系统的会聚特性、对准特性降低。该会聚离子束装置具有：真空容器；配置在所述真空容器内、末端被尖锐化的发射尖锥；气体电场电离离子源；会聚透镜；第一偏转器；第一光圈；物镜，其使通过所述第一偏转器后的所述离子束会聚；以及试样台，并且在至少具有会聚透镜、第一光圈、第一偏转器以及物镜的光学系统与试样台之间形成针对离子束在点状区域中发生反应的信号产生源，并以使从信号产生源输出的信号和由第一偏转器对离子束进行的扫描对应的方式生成发射尖锥的扫描电场离子显微镜像。

公开(公告)号：CN105264633B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480031930.1

申请日：2014-05-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 ,  乔治·M·葛梅尔 ,  理查·艾伦·斯普林克 ,  诺曼·E·赫西 ,  法兰克·辛克莱 ,  常胜武 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  大卫·罗杰·汀布莱克 ,  库尔·T·岱可-路克

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/48 ,  G21K5/00 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明公开一种离子植入机与用于控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。