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公开(公告)号：CN105765693A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。
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公开(公告)号：CN104658843A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410675978.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/09
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/08 , H01J2237/24535 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J37/09 , H01J37/21
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法，其课题在于例如在高能量离子注入装置中调整注入射束电流。本发明的用于离子注入装置的射束电流调整装置(300)具备配置于离子束的会聚点(P)或其附近的可变孔隙(302)。可变孔隙(302)构成为，调整会聚点(P)的与离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。可变孔隙(302)可以配置于紧接质量分析狭缝(22b)的后方。射束电流调整装置(300)也可以设置于具有高能量多段直线加速单元(14)的高能量离子注入装置(100)。
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公开(公告)号：CN103811255A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310498683.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/302 , H01J2237/0455 , H01J2237/047 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（100）具备用于从离子源（102）向注入处理室（106）输送离子的射束线装置（104）。注入处理室（106）具备对射束照射区域（105）机械式地扫描被处理物（W）的物体保持部（107）。射束线装置（104）能够在适合输送用于向被处理物（W）进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构（S1）或适合输送用于向被处理物（W）进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构（S2）下作动。在第1注入设定结构（S1）和第2注入设定结构（S2）中，射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源（102）至注入处理室（106）相同。
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公开(公告)号：CN108428609A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810081984.9
申请日：2018-01-29
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Inventor： 川浪义实
IPC: H01J37/04 , H01J37/244 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/1471 , H01J37/1474 , H01J37/1478 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0807 , H01J2237/2448 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542 , H01J37/04
Abstract: 本发明提供会聚离子束装置，其能够高精度地进行发射尖锥的末端的调整而不会使FIB光学系统的会聚特性、对准特性降低。该会聚离子束装置具有：真空容器；配置在所述真空容器内、末端被尖锐化的发射尖锥；气体电场电离离子源；会聚透镜；第一偏转器；第一光圈；物镜，其使通过所述第一偏转器后的所述离子束会聚；以及试样台，并且在至少具有会聚透镜、第一光圈、第一偏转器以及物镜的光学系统与试样台之间形成针对离子束在点状区域中发生反应的信号产生源，并以使从信号产生源输出的信号和由第一偏转器对离子束进行的扫描对应的方式生成发射尖锥的扫描电场离子显微镜像。
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公开(公告)号：CN105765693B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811248A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410083953.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
Abstract: 本发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
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公开(公告)号：CN1983504B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510120697.7
申请日：2005-12-14
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 陈杰良
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/0455 , H01J2237/061 , H01J2237/0835 , H01J2237/30477 , H01J2237/3151
Abstract: 本发明涉及一种离子源及使用所述离子源的模具抛光装置。所述模具抛光装置包括一离子源，所述离子源用于发射进行抛光的离子束，所述离子源包括一腔体及设置于所述腔体中的一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，所述阴极靠近所述阴极灯丝设置，所述屏极、加速极及可调屏极依次远离所述阴极设置，所述阴极、屏极、加速极及可调屏极上的电位依次降低，所述可调屏极包括一通孔，所述通孔大小及形状可调，从而可利用所述通孔调节射出的离子束截面大小及形状。利用本发明的模具抛光装置，可获得中心线平均表面粗糙度处于0.2～1纳米的平滑表面。
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公开(公告)号：CN105405734B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510554068.9
申请日：2015-09-02
CPC classification number: H01J37/226 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/057 , H01J2237/15 , H01J2237/2007 , H01J2237/24485 , H01J2237/24585 , H01J2237/2802
Abstract: 本发明涉及一种在透射带电粒子显微镜中执行光谱术的方法，所述透射带电粒子显微镜包括：‑样本夹持器，用于夹持样本；‑源，用于产生带电粒子的射束；‑照明器，用于引导所述射束以便照射所述样本；‑成像系统，用于将透射穿过所述样本的带电粒子的通量引导到光谱学装置上，所述光谱学装置包括用于使所述通量分散到光谱子射束的能量分辨阵列中的分散设备，所述方法包括以下步骤：‑使用可调光圈设备来容许所述阵列的第一部分到达检测器，同时阻挡所述阵列的第二部分；‑在所述光圈设备上游在所述通量中提供辐射传感器；‑使用所述传感器来在所述阵列的所述第二部分的所选区域中执行局部化辐射感测，同时通过所述检测器检测所述第一部分；‑使用来自所述传感器的感测结果来调整来自所述检测器的检测结果。
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公开(公告)号：CN103703537B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201280035812.9
申请日：2012-07-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/28 , H01J37/153 , H01J37/21 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/263 , G01N23/2206 , H01J37/153 , H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0492 , H01J2237/153 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/221 , H01J2237/225 , H01J2237/226 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/2611 , H01J2237/2802
Abstract: 本发明的扫描透过电子显微镜为了能够实现0.1nm原子尺寸结构的三维观察而具有球面像差系数小的电子透镜系统。再有，本发明的扫描透过电子显微镜具有：能够变更照射角的光圈、能够变更电子射线探针的探针尺寸及照射角度的照射电子透镜系统、二次电子检测器、透过电子检测器、前方散射电子射线检测器、焦点可变装置、识别图像的对比度的图像运算装置、对图像清晰度进行运算的图像运算装置、进行图像的三维构筑的运算装置、及对二次电子信号与样本前方散射电子信号进行混合的混频器。
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公开(公告)号：CN101996839B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010510825.X
申请日：2010-07-26
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/09 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0492 , H01J2237/14 , H01J2237/2002 , H01J2237/26 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明涉及一种粒子束装置(1)，其具有光阑孔可调的第一光阑组件(8)。本发明还涉及一种用于粒子束装置(1)的光阑组件(8)。此外，本发明还涉及一种用于在粒子束装置(1)中调整束流的方法。粒子束装置(1)包括具有第一极靴(6a)和第二极靴(6b)的第一聚束透镜(6)。可以相对于第二光阑组件(9)相互独立地调整第一极靴(6a)与第二极靴(6b)两者。第二光阑组件(9)被设计为压力级光阑，其将具有第一压力的真空的第一区域与具有第二压力的真空的第二区域相互隔开。根据本发明的方法涉及调整该粒子束装置(1)中的束流。
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