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公开(公告)号：CN119865972A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510054461.5
申请日：2025-01-14
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种提高陶瓷基板表面薄膜电路图形精度及可靠性的方法，属于微波元器件领域，所述方法包括基片前处理、制备光刻胶图案、磁控溅射制备薄膜、电镀加厚金属膜层、去除光刻胶等步骤；本发明通过在携带光刻胶图案的陶瓷基板上进行磁控溅射和电镀，制备出目标薄膜电路图形，取代传统湿法腐蚀工艺方法，规避了侧边腐蚀现象，制备出的薄膜电路图形可靠性高、一致性高、线条精度高。
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公开(公告)号：CN119772663A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411965479.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种超小型波导器件用铁氧体基片加工方法，属于微波技术领域，其步骤包括在铁氧体工件外周包裹树脂等具有粘接和固化效果的材料得到复合块体、切割复合块体、研磨抛光复合块体及去除韧性材料等；采用本发明的方法，可以对最小为φ1*0.4mm基片进行研磨抛光加工，抛光后表面粗糙度为20nm，厚度公差为±0.005mm，从而有效提升批次合格率至60%以上。
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公开(公告)号：CN116154444B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310323231.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种环行器隔离器的介质套与内导体简易装配工装，属于环行器装配加工技术领域，包括从下至上设置的垫板（1）、固定套（3）、顶针压环（5）和定位轴（12），垫板（1）上设置有防转片（14），垫板（1）与固定套（3）之间设置有直线轴承（4）并且二者固定连接，固定套（3）上设置有顶针（6），顶针（6）依次穿过顶针压环（5）和定位轴（12），针压环（5）和定位轴（12）之间还设置有圆柱弹簧（7），圆柱弹簧（7）内设置有弹簧导柱（8）；本发明的装配工装可以一次将表贴式环行器/隔离器的介质套、内导体或其组件装配到位，工装结构简单、成本低廉、可靠性高、手工操作劳动强度低，装配效率明显提高。
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公开(公告)号：CN119730702A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411413011.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) , 兰州大学
Abstract: 本申请涉及纳米振荡器技术领域，尤其涉及基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法，其中，所述纳米振荡器包括第一重金属层、第一磁性层、第二重金属层、绝缘层、第三重金属层、第二磁性层和第四重金属层。根据本申请的纳米振荡器，第一磁性层中的第一斯格明子和第二磁性层中的第二斯格明子的中心位置是固定的，在直流驱动电流作用下，斯格明子的面积发生周期性振荡，从而磁性层中磁化强度在轴向(Z轴)上的分量发生周期性振荡，因此探测纳米振荡器微波信号的探测结构可以简化，例如探测结构的直径与磁性层的直径相同。
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公开(公告)号：CN119560751A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711829.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高级间隔离度双结微带环行器隔离器电路结构，属于微波器件领域，本发明的新级间匹配电路结构缩短电感长度，同时改变与之匹配的电容，可有效减小产品平面尺寸；三段匹配短截线级间电路结构设计，补偿两个环行结之间的连接线长度，能有效提升双结微带环行器隔离器级间隔离度；结合上述两种设计，将在尺寸不变或减小的情况下，将双结微带环行器隔离器级间隔离度提升3dB以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN118441251B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410904023.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种非晶软磁薄膜材料、其制备方法及应用，属于磁性材料与元器件技术领域，其制备方法包括基片清洗、靶材清洗、沉积软磁材料层和沉积绝缘层等步骤，其中，在沉积软磁材料层时，施加偏置磁场，本发明通过在薄膜制备过程中施加原位偏置磁场，感生出面内单轴各向异性场，诱导面内单轴各向异性，并调控面内单轴各向异性场数值，从而实现对软磁薄膜截止频率的调节，应用于电感器件能够满足小型化、高频化、集成化的需要，并且该方法具有工艺简单、无多余工艺步骤、偏置磁场大小可控等优点。
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公开(公告)号：CN118448837B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410903975.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种短波功率合成器，属于合成器技术领域，包括合成器外壳（1），在所述合成器外壳（1）内设置有上层板（8）和下层板（9），在所述下层板（9）上设置有输入同轴接头（2）和平衡电阻（4），在所述上层板（8）上方设置有输出同轴接头（3），还包括至少四路输入电路，每一路输入电路包含一个匹配单元，所述匹配单元包括匹配电容C1（5）、匹配电感L1（6）和总匹配电容C2（7），所述匹配单元的匹配电容C1（5）和匹配电感L1（6）设置于所述上层板（8）；本发明的合成器大幅减轻的重量、减小了体积，有效进行了阻抗匹配，降低端口驻波和传输损耗，有效地降低了合成器发热，提高了合成器的合成效率。
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公开(公告)号：CN118330275B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410774093.7
申请日：2024-06-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种用于深腔测试的射频探针及测试方法，属于射频测试技术领域，包括弹性针尖（1）、微波吸收体（2）、固定座（3）、射频连接器组件（4）和线缆固定支架（5），其中，所述射频连接器组件（4）包括连接器部分和线缆部分，所述弹性针尖（1）设置于线缆部分的末端，所述线缆部分固定于线缆固定支架（5）上，测试方法为先根据测试高度H及测试角度θ设计制作线缆固定支架（5），再将所述射频连接器组件（4）的线缆部分弯折至与所述线缆固定支架（5）重合，然后再用紧固胶固定；本发明解决了特殊测试情况常规探针无法满足测试的问题，减少芯片排版设计压力，提升了芯片设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN118295159B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410721962.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明公开了一种无胶化法拉第旋光器，属于激光光学无源器件技术领域，包括扇形磁瓦组和用于固定所述扇形磁瓦组的扇形磁瓦固定装置，在所述扇形磁瓦中心位置设置有磁光晶体和用于固定所述磁光晶体的磁光晶体固定装置；本发明解决了因分离式磁体的强磁特性而需磁体胶粘接固定的工艺，且磁光晶体固定方式避免使用有机胶，保证了法拉第旋光器的光路及磁路均无胶化，在特高功率激光辐照下，可避免因胶粘剂升温脆化而产生挥发性物质的风险，在真空环境下具有良好的可靠性、稳定性及使用寿命。
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