-
公开(公告)号：CN117537792B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410006208.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘自适应方位角矫正方法，包括电子罗盘在校准地对三轴磁传感器和三轴加速度计进行温度校准、正交性校准、倾角解算以及倾斜补偿校准；在校准地搭建一标准磁场环境进行参数计算，包括对校准地的环境磁场校准、构造电子罗盘的方位角计算式α、磁北锁定并解算此时的方位角标记为到α0；在应用场所对电子罗盘进行自适应校准。本发明既能实现对磁干扰进行识别并实现自动干扰剔除，也能不依靠同时移动罗盘和安装载体的校准方式来提升校准精度，降低环境磁场校准时对安装载体移动的要求，达到对罗盘输出方位角矫正的目的，增加了罗盘在应用端的适应能力。使用了本方法后，电子罗盘校准得到了简化，且方位角精度得到了提升。
-
公开(公告)号：CN117537792A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410006208.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘自适应方位角矫正方法，包括电子罗盘在校准地对三轴磁传感器和三轴加速度计进行温度校准、正交性校准、倾角解算以及倾斜补偿校准；在校准地搭建一标准磁场环境进行参数计算，包括对校准地的环境磁场校准、构造电子罗盘的方位角计算式α、磁北锁定并解算此时的方位角标记为到α0；在应用场所对电子罗盘进行自适应校准。本发明既能实现对磁干扰进行识别并实现自动干扰剔除，也能不依靠同时移动罗盘和安装载体的校准方式来提升校准精度，降低环境磁场校准时对安装载体移动的要求，达到对罗盘输出方位角矫正的目的，增加了罗盘在应用端的适应能力。使用了本方法后，电子罗盘校准得到了简化，且方位角精度得到了提升。
-
公开(公告)号：CN115498380B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN115498380A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B（3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN116022731B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116022731A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310130224.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
-
公开(公告)号：CN115597571A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211611052.3
申请日：2022-12-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)(CN)
Abstract: 本发明公开了一种电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法，涉及电子罗盘的误差补偿领域，其方法为：先选择一电子罗盘，得到MEMS三轴加速度计在每个位置处x、y、z轴上的理论值和初始测量值、和x、y轴上多个样本点的初始磁场强度，送入卡尔曼滤波器；再求解MEMS三轴加速度计的误差补偿参数矩阵、以及磁场数据的椭圆拟合参数，分别对MEMS三轴加速度计和磁传感器数据进行补偿，本发明不仅能减小数据输出噪声，还能有效地补偿MEMS加速度计自身零偏、刻度因子、非正交及安装误差，并且对外界的磁场干扰进行补偿。精度较高，操作简单，易于实现，具有重要的工程实用价值。
-
公开(公告)号：CN115498381A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN115356667A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211298871.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及测量方法，包括磁感知探头、信号调理和模拟转换子单元、控制与校准子单元和探头激励子单元，磁感知探头输入端和输出端分别连接探头激励子单元和信号调理和模拟转换子单元，控制与校准子单元与信号调理和模拟转换子单元、和探头激励子单元双向通信。本发明仅采用单根磁感知探头，采用两种信号调理电路搭配2片ADC协同完成磁信号采集，在保证磁场采集精度的前提下能实现自动量程检测，最终实现了20T宽量程范围的多段磁场高精度磁场检测功能。相较于传统多探头分量程范围实现宽量程范围磁场信号采集，本发明具有操控简单方便、实用性强、校准效率高等特点。
-
公开(公告)号：CN114709578A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/39
Abstract: 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.06 seconds)
