公开(公告)号：CN101582453B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910140975.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101714404A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204905.X

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  朴宰彻 ,  权奇元 ,  金善日

IPC: G11C11/40 ,  H01L27/24 ,  H01L29/786 ,  G11C11/4195

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。

公开(公告)号：CN109727625B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN1681207B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510063921.3

申请日：2005-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升勋 ,  权奇元 ,  崔桢焕

IPC: H03K17/04

CPC classification number: H03K19/018585

Abstract: 一种输出驱动器响应于输入信号和摆动宽度控制信号(TE)。该输出驱动器被配置成生成下述输出信号，该输出信号当摆动宽度控制信号指定正常模式运行时具有第一摆动宽度(例如，小于轨对轨)，当摆动宽度控制信号指定测试模式运行时具有第二摆动宽度(例如，轨对轨)。

公开(公告)号：CN117174136A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310540523.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 朴採焕 ,  权奇元

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 公开了半导体存储器装置的位线感测放大器和位线感测方法。所述位线感测放大器，包括：差分放大器，被配置为：通过所述位线感测放大器的输入端子从位线接收输入信号，并且将第一信号输出到所述位线感测放大器的第一节点；感测反相器，被配置为：接收第一信号并且将第二信号输出到所述位线感测放大器的第二节点，第二信号由于使第一信号反相而产生；第一开关，被配置为将第二节点电连接到差分放大器的正输入；第二开关，被配置为将第一节点电连接到差分放大器的正输入；以及第三开关，被配置为将第二节点电连接到差分放大器的负输入。

公开(公告)号：CN101714403A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204907.9

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  权奇元 ,  朴宰彻 ,  朴永洙 ,  李明宰

IPC: G11C11/00 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。

公开(公告)号：CN1485984A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03154574.2

申请日：2003-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权奇元

IPC: H03K17/22 ,  H03K19/00

CPC classification number: H03K17/223

Abstract: 通过输出节点输出加电复位信号的加电复位电路，该加电复位电路包括产生第一信号电压的第一信号发生器。当电源电压达到第一阈值电压时，第一信号电压从接地电压开始增加。第二信号发生器产生第二信号电压，且当电源电压达到第二阈值电压时，该第二信号电压从电源电压开始降低。比较器响应于第一和第二信号的比较而激活加电复位信号。

公开(公告)号：CN109727625A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN101582453A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910140975.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101388236A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810213119.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元 ,  朴永洙 ,  李承勋 ,  安承彦

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/10

Abstract: 本发明提供一种多层存储装置。所述多层存储装置包括两个或更多的存储单元和布置在所述两个或更多的存储单元中的每个之间的有源电路单元。有源电路单元包括解码器。每个存储单元包括一个或更多的存储层。每个存储层包括存储阵列。