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公开(公告)号：CN103426984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310170557.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种制造氮化镓（GaN）基半导体发光器件的方法。在衬底上形成发光结构，并且该发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓（Ga）的氮化物半导体形成的p型半导体层。在p型半导体层上沉积金属层，并进行热处理，以形成镓-金属化合物。去除在p型半导体层上形成的镓-金属化合物。在已去除了镓-金属化合物的p型半导体层的上表面上沉积电极。镓-金属化合物的形成包括在p型半导体层的表面中形成镓空位。
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公开(公告)号：CN105633257A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510696224.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/16245
Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
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公开(公告)号：CN102315352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110196557.3
申请日：2011-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。
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公开(公告)号：CN102217102B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN200980145944.5
申请日：2009-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/13 , H01L25/0753 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728251B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN200910137472.0
申请日：2009-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/268 , H01L33/0062 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体、表面处理方法、制备方法及结构。III族氮化物半导体的表面处理方法包括以下步骤：提供包括具有III族极性的第一表面和与第一表面相对且具有氮极性的第二表面的III族氮化物半导体；将激光束照射到第二表面上，以使第二表面的氮极性改变为III族极性。
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公开(公告)号：CN103094432A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210435186.4
申请日：2012-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/14 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，以及形成在该发光结构上的反射结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该反射结构包括纳米杆层和形成在纳米杆层上的反射金属层，该纳米杆层包括多个纳米杆和该多个纳米杆之间的空气填充空间。
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公开(公告)号：CN105633257B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510696224.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/16245
Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
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公开(公告)号：CN102569574B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110350679.3
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。所述发光器件包括：化合物半导体结构，包括第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层；第一电极层和第二电极层，设置在所述第二化合物半导体层的顶表面上并分别电连接到所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；绝缘层，涂覆在除了所述第一电极层和所述第二电极层所位于的部分之外的部分上；导电粘附层，形成在非导电基底的顶表面上并将所述非导电基底连接到所述第一电极层和所述绝缘层；第一电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的一个侧表面上并连接到所述导电粘附层；第二电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的另一侧表面上，并连接到所述第二电极层。
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公开(公告)号：CN102891160A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256528.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2224/16245
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。
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