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公开(公告)号：CN108089992B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201711156987.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了操作非易失性存储器装置的方法。在操作非易失性存储器装置的方法中，响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。
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公开(公告)号：CN119562518A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411198838.6
申请日：2024-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括单元结构和电连接到单元结构的外围电路结构。单元结构包括在垂直方向上堆叠并在垂直方向上彼此隔开的多个栅电极、在垂直方向上穿透所述多个栅电极的沟道结构、以及连接到沟道结构的位线。外围电路结构包括有源区、在有源区上的栅极结构、与有源区交叉的栅极结构、在栅极结构的至少一侧并在有源区中的源极/漏极区、覆盖栅极结构的绝缘间隔物、在绝缘间隔物的侧壁上并电连接到源极/漏极区的导电间隔物、以及电连接到导电间隔物的接触。绝缘间隔物的最顶部表面的至少一部分与导电间隔物的最顶部表面的至少一部分共面。
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公开(公告)号：CN108089992A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711156987.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C16/225 , G06F12/0246 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/34
Abstract: 提供了操作非易失性存储器装置的方法。在操作非易失性存储器装置的方法中，响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017262B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201610971038.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，围绕沟道当中的预定数量的沟道；多条公共布线，电连接到栅线；以及多条信号布线，经由公共布线电连接到栅线。栅线沿第一方向层叠并彼此间隔开。每条公共布线经由相应的接触电连接到栅线当中的在相同水平的相应栅线。
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公开(公告)号：CN107017262A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610971038.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5283 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L27/11578
Abstract: 一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，围绕沟道当中的预定数量的沟道；多条公共布线，电连接到栅线；以及多条信号布线，经由公共布线电连接到栅线。栅线沿第一方向层叠并彼此间隔开。每条公共布线经由相应的接触电连接到栅线当中的在相同水平的相应栅线。
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公开(公告)号：CN118486676A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311534823.8
申请日：2023-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H10B41/20 , H10B41/35 , H10B43/20 , H10B43/35 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件，包括第一衬底、设置在第一衬底上的晶体管、以及连接到晶体管的第一互连层。第一互连层包括在平行于第一衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一导线、第二导线和第三导线。第二导线设置在第一导线和第三导线之间。第二导线的顶表面相对于第一衬底的顶表面位于比第一导线和第三导线的顶表面高的高度处。
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公开(公告)号：CN118230770A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311634041.1
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和一种电子系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠在基板上的多条字线以及在多条字线下方的共源极线；多条驱动信号线，其连接到行解码器；以及多个传输晶体管阵列，多个传输晶体管阵列中的每一个包括分别连接多条驱动信号线和多条字线的多个竖直传输晶体管，其中，多个传输晶体管阵列中的每一个还包括有源区域以及向有源区域施加信号的主接触件，该有源区域包括漏极，多个竖直传输晶体管中的至少两个同时接合到该漏极。
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公开(公告)号：CN107068191A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710032688.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C16/3413
Abstract: 一种编程非易失性存储器的方法，包括：对在所选的字线中的存储器单元执行至少两个编程循环，基于执行至少两个编程循环中的每一个的结果生成失败位趋势，基于所生成的失败位趋势预测包括要对存储器单元最后执行的N编程循环的多个编程循环，和基于预测多个编程循环的结果改变当执行N编程循环时提供给存储器单元的N编程电压的电平。
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