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公开(公告)号：CN102212187B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110074964.7
申请日：2011-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 三星电机株式会社 , 三星精密化学株式会社
IPC: C08G63/685 , C08G63/692 , C08G63/91 , C09K19/38 , C08L67/04 , B32B15/08 , B32B27/04 , H05K1/03
CPC classification number: C07F9/657172 , C07D209/76 , C09K19/3809 , Y10T428/1086 , Y10T428/2971 , Y10T428/31525
Abstract: 本发明涉及液晶热固性低聚物或聚合物及热固性组合物和含其的板。所述液晶热固性低聚物或聚合物包括化学式1和2的结构单元以及化学式A的官能团，[化学式1][化学式2][化学式A]
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公开(公告)号：CN1502555A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118169.9
申请日：2003-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/02 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G03F7/027 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , H05K2203/0514 , Y10S977/89
Abstract: 本发明公开了通过改性碳纳米管的表面，以便具有能参与自由基聚合的含双键的官能团；用液体涂料组合物涂布基质，而所述涂料组合物是通过将表面改性的碳纳米管与光引发剂一起分散在有机溶剂内制备的；通过光掩模，将该膜暴露于UV光下，以引发碳纳米管的自由基聚合；使该膜显影，从而形成碳纳米管的负片图案的方法。通过本发明，可根据常规的照相平板工艺，容易地在各种基质表面上制造碳纳米管的所需图案。
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公开(公告)号：CN118255802A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311214564.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述有机金属化合物由下式1‑1至1‑4之一表示。对于式1‑1至1‑4中的M11、L11‑L14、a11‑a14、R11‑R14、X11‑X14、n11‑n15、Y11‑Y13、和R15‑R17的描述，参见说明书。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN1657530A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410100231.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/50 , C07F7/0838 , C07F7/1804
Abstract: 本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO2含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
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公开(公告)号：CN1616468A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119823306A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411412848.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F220/30 , C08F212/12 , C08F220/22 , G03F7/004
Abstract: 提供聚合物、包括其的抗蚀剂组合物及使用其形成图案的方法，所述聚合物包括由下面的式1表示的第一重复单元和由下面的式2表示的第二重复单元的。在式1和2中，L11至L13、L21至L24、a11至a13、a21至a24、A11、A21、X11、R11、R12、R21至R23、b12、b22、b23、p11、和p21如说明书中所描述的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN102212187A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110074964.7
申请日：2011-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 三星电机株式会社 , 三星精密化学株式会社
IPC: C08G63/685 , C08G63/692 , C08G63/91 , C09K19/38 , C08L67/04 , B32B15/08 , B32B27/04 , H05K1/03
CPC classification number: C07F9/657172 , C07D209/76 , C09K19/3809 , Y10T428/1086 , Y10T428/2971 , Y10T428/31525
Abstract: 本发明涉及液晶热固性低聚物或聚合物及热固性组合物和含其的板。所述液晶热固性低聚物或聚合物包括化学式1和2的结构单元以及化学式A的官能团，[化学式1][化学式2][化学式A]
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公开(公告)号：CN119431638A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410962622.6
申请日：2024-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F120/20 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F220/18 , G03F7/004
Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的含聚合物的组合物、以及通过使用所述含聚合物的组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元且具有50℃或更低的玻璃化转变温度，其中，在式1中，L11至L13、a11至a13、A11、R11、R12、b12和p1的描述在本说明书中提供。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118969779A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410557192.X
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L25/18 , H01L23/535 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；通路结构，所述通路结构穿过所述半导体衬底；第一二极管，所述第一二极管包括掺杂有第一导电型杂质的第一杂质区和掺杂有第二导电型杂质的第二杂质区；以及第二二极管，所述第二二极管包括掺杂有所述第一导电型杂质的第三杂质区和掺杂有所述第二导电型杂质的第四杂质区，其中，所述第二导电型杂质不同于所述第一导电型杂质，并且其中，所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述第三杂质区和所述第四杂质区中的至少一者与所述通路结构的排除区交叠。
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公开(公告)号：CN112310285A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010320596.9
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了传感器和电子装置。一种传感器包括阳极和阴极以及在阳极与阴极之间的近红外光电转换层。近红外光电转换层被配置为吸收近红外波长光谱的至少一部分的光，并将吸收的光转换成电信号。近红外光电转换层包括第一材料和第二材料，第一材料具有在近红外波长光谱中的最大吸收波长，第二材料与第一材料形成pn结并具有比第一材料的能带隙宽的能带隙。第一材料以比第二材料小的量被包括在近红外光电转换层中。
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