-
公开(公告)号：CN110277453B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
-
公开(公告)号：CN118173518A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311420224.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。
-
公开(公告)号：CN109427778B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201810993514.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。
-
公开(公告)号：CN111852853B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010354852.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种涡旋式压缩机，所述涡旋式压缩机包括：主体；盖，用于将所述主体分为低压段和高压段；定涡盘，包括第一排放口；动涡盘，相对于所述定涡盘旋转并且与所述定涡盘一起形成压缩室；排放引导件，设置在所述定涡盘与所述盖之间并且包括连接到所述第一排放口的第二排放口；以及背压致动器，被构造为与所述排放引导件一起形成背压室并且相对于所述排放引导件沿着朝向所述盖的方向运动，以使所述第二排放口与所述高压段选择性地连接。所述定涡盘包括：旁通流动路径，使所述压缩室和所述第二排放口连接；以及旁通阀，用于打开或关闭所述旁通流动路径。
-
公开(公告)号：CN111197578A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911134853.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种压缩机及使用该压缩机的电子装置，在压缩机中，吸入引导件设置在壳体的气体吸入管与压缩单元的入口之间。压缩机包括：压缩单元，包括用于吸入气体的入口，并且被构造为压缩吸入的气体；壳体，被构造为容纳压缩单元；以及吸入引导件，包括用于将气体从壳体的外部引导到入口的通道，其中，压缩单元包括从入口的边缘延伸的第一表面，吸入引导件包括从通道的风口的边缘延伸的第二表面并且设置在壳体的内部区域中以使第一表面与第二表面彼此面对，并且第一表面的外端和第二表面的内端沿着压缩机的轴线方向不重叠或者第一表面的内端和第二表面的外端沿着压缩机的轴线方向不重叠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110752259A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910594266.6
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/167 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。
-
公开(公告)号：CN108511525A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710748871.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
-
公开(公告)号：CN117936460A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311376878.0
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，该制造方法包括：在子栅极牺牲图案和半导体图案的堆叠结构上形成彼此间隔开的多个主栅极牺牲图案；在主栅极牺牲图案之间形成第一绝缘层；去除主栅极牺牲图案；去除子栅极牺牲图案；在从其去除了主栅极牺牲图案的空间中形成主栅极虚设图案；在从其去除了子栅极牺牲图案的空间中形成多个子栅极虚设图案；在去除了第一绝缘层的空间下方形成凹陷；在凹陷内形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成第二绝缘层；去除主栅极虚设图案和子栅极虚设图案；以及在去除了主栅极虚设图案和子栅极虚设图案的空间中形成栅极电极。
-
公开(公告)号：CN117766562A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311131264.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在衬底上与有源区交叉并且在第二方向上延伸，其中，有源区包括在栅极结构的至少一侧的凹进区；多个沟道层，其在有源区上，在基本上垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构至少部分地围绕；以及源极/漏极区，其在有源区的凹进区中并且连接至多个沟道层。
-
公开(公告)号：CN117423727A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310676475.1
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上彼此间隔开的第一沟道结构和第二沟道结构；以及源极/漏极图案，其在第一沟道结构与第二沟道结构之间，包括接触第一沟道结构的第一界面和接触第二沟道结构的第二界面，其中，在平面图中，源极/漏极图案包括在第二方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁包括第一倾斜侧壁、第二倾斜侧壁和第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁相遇之处的第一水平交叉部，在第二方向上，第一界面的宽度与第二界面的宽度不同，并且在第一方向上，从第一界面至第一水平交叉部的距离大于从第二界面至第一水平交叉部的距离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.043 seconds)
