公开(公告)号：CN104425665A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410431583.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  朴永洙 ,  卓泳助

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。

公开(公告)号：CN1114320C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN97117123.8

申请日：1997-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰镕 ,  金在均 ,  朴季镐

IPC: H04N7/50

CPC classification number: H04N19/18 ,  H04N19/124 ,  H04N19/126 ,  H04N19/14 ,  H04N19/146 ,  H04N19/149 ,  H04N19/15 ,  H04N19/152 ,  H04N19/172 ,  H04N19/176 ,  H04N19/61

Abstract: 一种图像编码方法和装置，用于通过量化活动度精确控制单个编码帧的比特产生量。其中量化活动度是以某量化步长量化离散余弦变换系数时不等于零的量化系数的数量。根据缓冲存储器的充满度和传输速率预测所希望的比特产生量，确定量化活动度的量化步长，利用在所计算量化活动度和变长编码数据产生量之间的线性正比关系产生最接近于所预测比特产生量的比特产生量。因此，可有效避免缓冲存储器的上溢和下溢，也充分利用传输信道。

公开(公告)号：CN104576861A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410562329.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  朴永洙 ,  蔡秀熙

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。

公开(公告)号：CN103489898A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310157632.4

申请日：2013-05-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在均 ,  金峻渊 ,  卓泳助

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层。该半导体器件包括：硅衬底；氮化物成核层，设置在硅衬底上；至少一个超晶格层，设置在氮化物成核层上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，设置在超晶格层上，其中至少一个超晶格层通过重复地堆叠复合层而形成，每个复合层包括具有不同组分的多个氮化物半导体层，其中多个氮化物半导体层的至少之一根据堆叠位置而具有不同的厚度，至少一个应力控制层设置在多个氮化物半导体层之间或者设置在重复地堆叠的复合层之间，至少一个应力控制层具有超过假晶生长的临界厚度的厚度。

公开(公告)号：CN1358031A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01117680.6

申请日：2001-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘国烈 ,  金润秀 ,  金在均 ,  徐光德 ,  卢奎灿 ,  许盛喆

IPC: H04N7/30

CPC classification number: H04N19/40 ,  H04N19/126 ,  H04N19/14 ,  H04N19/18 ,  H04N19/20 ,  H04N19/61 ,  H04N19/70

Abstract: 提供一种在各种至少具有语法元素和对应于视频数据的视频元素的压缩的位流之间执行转换的译码方法及其设备,该设备包括用于从符合第一压缩方法的第一位流重建语法元素和视频元素的解码器;根据第一压缩方法逆量化从解码器提供的视频元素重建视频数据的逆量化器;用于根据第二压缩方法重新量化所述视频数据的量化器;用于将从解码器提供的语法元素映射到符合第二压缩方法的语法元素的语法发生器;以及用于根据第二压缩方法编码重新量化过的视频数据和语法元素,从而输出第二位流的编码器。

公开(公告)号：CN104576861B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201410562329.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  朴永洙 ,  蔡秀熙

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。

公开(公告)号：CN103489896B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310231295.9

申请日：2013-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。

公开(公告)号：CN103137656B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201210345304.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  金在均 ,  蔡秀熙 ,  洪贤基

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。

公开(公告)号：CN103578926A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310347252.7

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓泳助 ,  金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1-x-yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。

公开(公告)号：CN103137656A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210345304.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金峻渊 ,  金在均 ,  蔡秀熙 ,  洪贤基

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。