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公开(公告)号：CN1527451A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124342.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0224 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 公开一种半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件，可以分散在将芯片倒装焊接至辅助底座时集中在脊波导上的应力。该激光二极管包括第一材料层、有源层和第二材料层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于第二材料层的上方以定义出通道，使得第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由通道与第二材料层的顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于脊波导的一侧并且其高度不低于脊波导的高度。
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公开(公告)号：CN101740694B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200910225274.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
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公开(公告)号：CN100468893C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200310120206.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/0206 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2205 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法，该辅助装配座倒装焊接到一个具有阶梯状第一和第二电极的半导体激光二极管芯片上。该辅助装配座包括：一个具有第一和第二表面的衬底，所述第一和第二表面隔开与所述第一和第二电极之间的高度差相当的阶跃高度；第一和第二金属层，分别形成于所述第一和第二表面上且厚度相同；以及第一和第二焊料层，分别形成于所述第一和第二金属层上且厚度相同，并且分别焊接到所述第一和第二电极上。通过一个工序同时形成厚度相同的两焊料层，由此具有相同的化学成分比，提供几乎相同的熔融特性；可通过辅助装配座有效地排放出在半导体激光二极管芯片工作期间产生的热量。
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公开(公告)号：CN100421320C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200310124342.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0224 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 公开一种半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件，可以分散在将芯片倒装焊接至辅助底座时集中在脊波导上的应力。该激光二极管包括第一材料层、有源层、和第二材料层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于第二材料层的上方以定义出通道，使得第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由通道与第二材料层的顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于脊波导的一侧并且其高度不低于脊波导的高度，其中该脊波导的另一侧形成有该第一材料层的底部材料层的露出表面，并且在该露出表面与第二材料的顶部表面之间存在台阶高度，其中第二突起形成在该露出表面上并具有不低于该脊波导的高度。
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公开(公告)号：CN1604347A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410078693.2
申请日：2004-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种光发射器件组件。该光发射器件组件包括：一包含凸起的基底，每个凸起含有结合表面和包围结合表面的侧表面；一包含焊盘的光发射器件，每个焊盘含有与对应凸起的结合表面相对应的结合表面。此处，每个凸起的结合表面的边缘与对应焊盘的边缘向内隔开预定距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576861B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201410562329.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
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公开(公告)号：CN103137656B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210345304.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
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公开(公告)号：CN103137656A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210345304.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
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公开(公告)号：CN100386892C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200410078693.2
申请日：2004-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种光发射器件组件。该光发射器件组件包括：一包含凸起的基底，每个凸起含有结合表面和包围结合表面的侧表面；一包含焊盘的光发射器件，每个焊盘含有与对应凸起的结合表面相对应的结合表面，并在焊盘边缘形成有外倾型栅栏。此处，每个凸起的结合表面的边缘与对应焊盘的边缘向内隔开预定距离，从而有效避免了凸起与焊盘之间形成的间隔。
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公开(公告)号：CN1603054A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410089930.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/001 , H01L24/10 , H01L24/81 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种焊料凸点及其制造方法，以及使用该焊料凸点制造方法焊接发光装置的方法。具体而言，该焊料凸点由包括第一元素至第三元素的化合物形成，其中第一和第三元素一起形成一种具有多个中间相和固相线的化合物。
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