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公开(公告)号：CN100502009C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510003665.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/28282 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。
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公开(公告)号：CN1652661A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410078689.6
申请日：2004-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 金大一 , 瑟吉·Y·纳瓦拉
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32192
Abstract: 提供了一种使用多路端部开口的空腔谐振器的微波等离子体产生设备，以及包括该微波等离子体产生设备的等离子体处理设备。该等离子处理设备包括：用于形成处理室的容器，用于支撑材料使其在处理室中被处理的支撑部件，在处理室的上部形成的介电窗，将处理气体注入处理室的气体供应部件，以及通过介电窗供应微波的包含多个谐振器的微波供应部件。
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公开(公告)号：CN101834188B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010176927.2
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有垂直折叠结构的非易失性存储器件和制造该非易失性存储器件的方法。半导体结构包括基本上垂直的第一部分和第二部分。多个存储单元沿半导体结构的第一部分和第二部分布置并串联连接。
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公开(公告)号：CN100341386C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03132667.6
申请日：2003-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤利·N·托尔马契夫 , 马东俊
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
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公开(公告)号：CN1248289C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02127324.3
申请日：2002-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 文昌郁 , 尹惠荣
IPC: H01L21/205 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357
Abstract: 提供一种感应耦合式等离子体装置，此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座，上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中；具有一通道，一种气体流经此通道；以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而，可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1670958A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510003665.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/28282 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。
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公开(公告)号：CN1619011A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410068244.X
申请日：2004-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟格里·Y·纳瓦拉 , 金大一
IPC: C23C14/35 , H01J37/32 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/321 , C23C14/358 , H01J37/3408
Abstract: 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。
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公开(公告)号：CN100336165C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03139091.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟吉·Y·纳瓦拉
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。
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公开(公告)号：CN1614746A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089772.3
申请日：2004-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给RF功率的RF电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。
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公开(公告)号：CN1516536A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03132667.6
申请日：2003-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤利·N·托尔马契夫 , 马东俊
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
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