公开(公告)号：CN109135579A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810615141.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴承浩 ,  权昌吉 ,  李性表 ,  黄晙夏 ,  金相均 ,  朴慧圣 ,  辛受映 ,  李愚仁 ,  李洋熙 ,  朴钟爀 ,  尹一永

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31051

Abstract: 提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。

公开(公告)号：CN110943085A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910711072.X

申请日：2019-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵珍宇 ,  辛受映 ,  高荣浩 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  李洋熙 ,  全喜淑

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。

公开(公告)号：CN110943085B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201910711072.X

申请日：2019-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵珍宇 ,  辛受映 ,  高荣浩 ,  尹普彦 ,  尹一永 ,  李洋熙 ,  全喜淑

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。