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公开(公告)号：CN115939048A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210980967.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种能够提高器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：栅极结构，该栅极结构包括栅电极和在栅电极的上表面上的栅极覆盖图案；在栅极结构的至少一侧上的源极/漏极图案；以及源极/漏极接触，在源极/漏极图案的上表面上并与源极/漏极图案的上表面连接，源极/漏极接触沿着栅电极的侧壁延伸，其中源极/漏极接触的上表面包括凸曲面。
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公开(公告)号：CN109135579A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810615141.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/31051
Abstract: 提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。
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公开(公告)号：CN119451190A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410591488.3
申请日：2024-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括正面中的鳍型有源区域和背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；接触插塞，在衬底上方；背面电力轨，至少部分地填充衬底凹陷；以及过孔电力轨，电连接到接触插塞，过孔电力轨延伸到隔离膜中，并且连接到背面电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角。
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公开(公告)号：CN110943085B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910711072.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。
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公开(公告)号：CN117956785A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310834329.7
申请日：2023-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底中的芯片区域；在所述衬底中的划片道区域；在所述芯片区域中的第一有源图案；在所述第一有源图案上的第一器件隔离图案；在所述划片道区域中的第二有源图案；以及在所述第二有源图案上的第二器件隔离图案。所述划片道区域与所述芯片区域相邻。所述第一器件隔离图案包括第一器件隔离材料，并且所述第二器件隔离图案包括第二器件隔离材料。所述第二器件隔离材料不同于所述第一器件隔离材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444474A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910278642.0
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/306
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，设计图案从衬底突出；在衬底上形成填充层，其中，填充层至少部分地覆盖设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。
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公开(公告)号：CN115568213A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210654535.5
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 半导体装置可以包括衬底、图案化结构、填充图案和导电间隔件。衬底可以包括半导体芯片区域和覆盖区域。图案化结构可以包括在半导体区域上间隔开第一距离的位线结构，限定覆盖区域的第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽，并且包括位于第二区域上并且通过第二沟槽间隔开的键结构。填充图案可以填充第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽的下部。第一区域可以是覆盖区域的边缘部分。第二区域可以是覆盖区域的中心部分。导电间隔件可以接触填充图案的上表面，并且可以位于第一沟槽和第二沟槽中的每一个的上侧壁上。
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公开(公告)号：CN110943085A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910711072.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请提供一种半导体装置和形成该半导体装置的方法。所述形成该半导体装置的方法包括：在基底上形成模制结构；在模制结构上形成具有沉积厚度的第一掩模层；以及使第一掩模层图案化，以形成使模制结构暴露的第一掩模开口。蚀刻模制结构以形成穿透模制结构的孔。使第一掩模层减薄以形成为包括厚度小于沉积厚度的掩模部分。形成导电图案以填充孔和第一掩模开口。蚀刻包括掩模部分的第一掩模层以使模制结构暴露。导电图案包括突起。执行化学机械抛光工艺以去除导电图案的突起。
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公开(公告)号：CN110571230A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910148452.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
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公开(公告)号：CN109021833A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810596550.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/28079 , H01L21/28123 , H01L21/3212 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3043
Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括：包含金属氧化物的抛光颗粒；包含过氧化氢的氧化剂；以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂，其中以100重量％的所述用于抛光金属层的浆料组合物计，氧化剂的含量是0.01重量％到0.09重量％。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。
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