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公开(公告)号：CN109021833A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810596550.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/28079 , H01L21/28123 , H01L21/3212 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3043
Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括：包含金属氧化物的抛光颗粒；包含过氧化氢的氧化剂；以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂，其中以100重量％的所述用于抛光金属层的浆料组合物计，氧化剂的含量是0.01重量％到0.09重量％。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。
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公开(公告)号：CN109135579A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810615141.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/31051
Abstract: 提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。
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公开(公告)号：CN118198033A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311628182.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/522
Abstract: 公开了一种布线结构和包括其的半导体器件。该布线结构包括：衬底；下绝缘层，在衬底上；下布线结构，在垂直方向上延伸并穿过下绝缘层；间隔物，围绕下布线结构的侧壁；覆盖绝缘层，在下绝缘层上；以及通路结构，在垂直方向上延伸并穿过覆盖绝缘层，其中通路结构在垂直方向上与下布线结构和间隔物重叠，通路结构包括在垂直方向上延伸并穿过间隔物的至少一部分的突出部分。
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公开(公告)号：CN115568213A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210654535.5
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 半导体装置可以包括衬底、图案化结构、填充图案和导电间隔件。衬底可以包括半导体芯片区域和覆盖区域。图案化结构可以包括在半导体区域上间隔开第一距离的位线结构，限定覆盖区域的第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽，并且包括位于第二区域上并且通过第二沟槽间隔开的键结构。填充图案可以填充第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽的下部。第一区域可以是覆盖区域的边缘部分。第二区域可以是覆盖区域的中心部分。导电间隔件可以接触填充图案的上表面，并且可以位于第一沟槽和第二沟槽中的每一个的上侧壁上。
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公开(公告)号：CN119317103A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410577019.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区域、外围区域和边界区域，所述存储单元区域中限定有有源区域，所述外围区域中限定有逻辑有源区域，所述边界区域包括位于所述存储单元区域与所述外围区域之间的区域隔离沟槽；边界结构，所述边界结构包括顺序地设置在所述区域隔离沟槽中的边界隔离层、区域隔离结构和区域隔离填充层；以及字线，所述字线跨所述有源区域延伸，其中，在所述有源区域当中，位于所述存储单元区域的最外部分处的有源区域和所述区域隔离结构彼此间隔开第一宽度，并且所述字线从位于所述存储单元区域的最外部分处的所述有源区域的边缘朝向所述区域隔离结构延伸了小于所述第一宽度的延伸长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119136539A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410752047.7
申请日：2024-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种集成电路装置和一种制造集成电路装置的方法。该集成电路装置包括：衬底，其具有存储器单元区域和在存储器单元区域周围延伸的外围电路区域；单元晶体管，其位于存储器单元区域中；以及外围电路晶体管，其位于外围电路区域中。该装置还包括：电容器结构，其包括单元晶体管上的下电极、下电极的表面上的电介质层、电介质层上的上材料层、以及上材料层上的金属板层；层间绝缘层，其在存储器单元区域中位于金属板层上并且在外围电路区域中位于外围电路晶体管上；以及蚀刻停止图案，其在存储器单元区域和外围电路区域的边界部分处位于层间绝缘层中。蚀刻停止图案与金属板层的侧壁横向间隔开并且竖直地延伸。
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公开(公告)号：CN118785706A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410426129.2
申请日：2024-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 示例半导体器件包括堆叠在存储单元阵列区域上的位线结构和位线覆盖图案。所述器件还包括：外围栅极结构，所述外围栅极结构包括堆叠在外围电路区域上的外围栅极电介质层、外围栅电极、以及外围栅极覆盖图案。所述器件还包括：栅极间隔物，所述栅极间隔物位于所述外围栅极结构的侧表面上；第一外围层间绝缘层，所述第一外围层间绝缘层覆盖所述外围栅极结构和所述栅极间隔物；以及第一外围接触插塞，所述第一外围接触插塞穿透所述第一外围层间绝缘层。所述位线覆盖图案包括堆叠的下位线覆盖层和上位线覆盖层。所述上位线覆盖层的材料与所述第一外围层间绝缘层的材料相同。
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公开(公告)号：CN115696914A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210811805.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：包括单元区和外围区的基板、基板的单元区上的下电极、下电极的表面上的介电层、介电层上的硅锗层、堆叠在硅锗层上的金属板图案和抛光停止层图案、以及物理接触硅锗层的上表面的上接触插塞。上接触插塞可以具有比抛光停止层图案的上表面更远离基板的上表面。上接触插塞可以与金属板图案和抛光停止层图案间隔开。
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公开(公告)号：CN109256370A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810762262.X
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板，包括单元阵列区域和TSV区域；绝缘层，设置在基板上并在TSV区域上具有凹陷区域；电容器，在单元阵列区域的绝缘层上；虚设支撑图案，设置在TSV区域的绝缘层上并且当在平面图中看时与凹陷区域交叠；以及TSV电极，穿过虚设支撑图案和基板。
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公开(公告)号：CN118742027A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311854020.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造半导体装置和半导体装置。该方法包括：在半导体衬底中形成限定有源区的器件隔离沟槽；形成覆盖半导体衬底的顶表面和器件隔离沟槽的内壁的第一衬垫电介质层；形成覆盖第一衬垫电介质层的第二衬垫电介质层；形成填充器件隔离沟槽的埋置电介质层；对第二衬垫电介质层和埋置电介质层执行抛光工艺以形成器件隔离结构；形成与有源区相交的掩模图案；以及部分地图案化有源区和器件隔离结构以形成栅极沟槽。在抛光工艺之后，第一衬垫电介质层、第二衬垫电介质层和埋置电介质层具有通过抛光工艺形成的彼此共面的顶表面。
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