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公开(公告)号：CN100495749C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610150534.8
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了一种基于氮化物的半导体LED。在该基于氮化物的半导体LED中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，该n型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，以便第一区域和第二区域彼此啮合。在n型氮化物半导体层的第二区域上形成有源层。p型氮化物半导体层形成在有源层上，然后在p型氮化物半导体层上形成反射电极。在反射电极上形成p电极，以及在n型氮化物半导体层的第一区域上形成n电极。在n电极上形成多个n型电极焊盘。至少一个n型电极焊盘邻近n电极的不同侧面布置。
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公开(公告)号：CN1953224A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610150534.8
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了一种基于氮化物的半导体LED。在该基于氮化物的半导体LED中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，该n型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，以便第一区域和第二区域彼此啮合。在n型氮化物半导体层的第二区域上形成有源层。p型氮化物半导体层形成在有源层上，然后在p型氮化物半导体层上形成反射电极。在反射电极上形成p电极，以及在n型氮化物半导体层的第一区域上形成n电极。在n电极上形成多个n型电极焊盘。至少一个n型电极焊盘邻近n电极的不同侧面布置。
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公开(公告)号：CN101051662B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
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公开(公告)号：CN101051662A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424903C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610139775.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN101271952A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810095054.5
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN101075656A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710097452.6
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n－型氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n－型氮化物半导体层的预定区域上；p－型氮化物半导体层，形成在活性层上；p－电极，形成在p－型氮化物半导体层上，该p－电极具有p－型分支电极；p－型ESD衬垫，形成在p－型分支电极的端部处，该p－型ESD衬垫具有大于p－型分支电极的端部的宽度；n－电极，形成在其上未形成活性层的n－型氮化物半导体层上，该n－电极具有n－型分支电极；以及n－型ESD衬垫，形成在n－型分支电极的端部处，该n－型ESD衬垫具有大于n－型分支电极的端部的宽度。
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公开(公告)号：CN1941437A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139775.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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