基于氮化物的半导体发光二极管

    公开(公告)号:CN101051662A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710004902.2

    申请日:2007-02-07

    CPC classification number: H01L33/38 H01L33/20 H01L33/32

    Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED,包括:衬底;n型氮化物半导体层,形成在衬底上;有源层,形成在n型氮化物半导体层的预定区域上;p型氮化物半导体层,形成在有源层上;透明电极,形成在p型氮化物半导体层上;p型电极焊盘,形成在透明电极上;一对p型连接电极,形成为从p型电极焊盘延伸的线形,以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角;一对P电极,从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸,p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成;以及n型电极焊盘,形成在n型氮化物半导体层上,在其上并不形成有源层,使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。

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