公开(公告)号：CN101350313A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。