公开(公告)号：CN119024654A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410424324.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 扈锺必 ,  文炯朗 ,  韩承 ,  金兑镐 ,  朴景铃 ,  朴时均 ,  郭泽秀 ,  朴庆熏 ,  宋明洙 ,  裵鎭希 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种形成图案的方法，所述方法包括在衬底上涂覆含金属抗蚀剂组合物；进行干燥并加热以在衬底上形成含金属抗蚀剂膜；使用经图案化掩模对含金属抗蚀剂膜进行曝光；以及涂覆显影剂组合物以移除未曝光区，进而形成抗蚀剂图案。与显影前抗蚀剂膜的厚度相比，显影后抗蚀剂膜的厚度增加了约5％到约100％，且基于原子总数计，显影后的抗蚀剂膜的表面可包含约5at％到约20at％的选自磷元素及硫元素中的至少一者。

公开(公告)号：CN112652519B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N

公开(公告)号：CN117348341A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310445626.2

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许伦旼 ,  裵鎭希 ,  文炯朗 ,  郭泽秀 ,  朴景铃 ,  李忠宪 ,  黄丙奎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  G03G9/12

Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。

公开(公告)号：CN118963076A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410593379.5

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郭泽秀 ,  朴时均 ,  文炯朗 ,  扈锺必 ,  朴庆熏 ,  宋明洙 ,  裵鎭希 ,  金旼秀 ,  韩承 ,  金兑镐 ,  朴景铃

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/16

Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物以及一种包括使用所述组合物来移除边珠的步骤的形成图案的方法及形成图案的系统。所述用于移除边珠的组合物包括：添加剂，包含选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的至少一者；羧酸类化合物；以及有机溶剂，其中选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的所述至少一者对羧酸类化合物的混合重量比为约9:1到约1.2:1。

公开(公告)号：CN117991584A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311349030.9

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  韩承 ,  任相均 ,  金智敏 ,  徐也隐 ,  朴景铃

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物，包含有机金属化合物、由化学式1表示的添加剂以及溶剂，以及一种使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。化学式1的细节如说明书中所定义。

公开(公告)号：CN119432511A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411054043.8

申请日：2024-08-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金兑镐 ,  金旼秀 ,  文炯朗 ,  朴时均 ,  裵鎭希 ,  韩承 ,  扈锺必 ,  朴景铃 ,  宋明洙 ,  朴庆熏

IPC: C11D7/28 ,  G03F7/00 ,  G03F1/76 ,  C11D7/50

Abstract: 公开一种用于从含金属的抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物、一种含金属的抗蚀剂的显影剂组合物、以及使用其形成图案的方法。根据一个或多个实施例的组合物包含：经至少一个氟取代的C1至C10羧酸化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN118444539A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311535938.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴景铃 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  郭泽秀 ,  成太根 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 本发明公开一种含金属光刻胶显影剂组合物、和一种形成包含使用所述含金属光刻胶显影剂组合物的显影步骤的图案的方法，含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；酸化合物，具有1.0≤pKa1≤4.8；以及至少一种醇类化合物，选自衍生自非环烃的二醇化合物和环状醇化合物。

公开(公告)号：CN113087747A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011416809.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  朴景铃 ,  金容兑 ,  成太根 ,  吴釜根 ,  林雪熙

IPC: C07F17/00 ,  C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  H01L27/28

Abstract: 公开一种由化学式1表示的有机金属化合物、一种用于沉积包含有机金属化合物的薄膜的组合物、一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法、一种由用于沉积薄膜的组合物制造的有机金属化合物薄膜以及一种包含薄膜的半导体装置。所述有机金属化合物在室温下呈液态且呈现低粘度和极佳挥发性。在化学式1中，M和A的定义如本说明书中所描述。[化学式1]M(A)2。

公开(公告)号：CN112652519A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N。