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公开(公告)号：CN105830204A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201380081727.0
申请日：2013-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川口安人
CPC classification number: H01L23/18 , H01L23/24 , H01L23/298 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/43 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明缓和功率半导体芯片表面的电场强度，实现制造工序内缺陷的减少、以及可靠性的提高。本发明具有配置在绝缘基板(2)之上的功率半导体芯片(4)，本发明还具有：配线(5)，其与功率半导体芯片的元件区域(4A)处的表面导体图案连接；低介电常数膜(8)，其配置在配线与周边区域(4B)之间；以及封装材料(6)，其是覆盖绝缘基板、功率半导体芯片、配线以及低介电常数膜而形成的，低介电常数膜具有比封装材料低的介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105830204B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201380081727.0
申请日：2013-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川口安人
Abstract: 本发明缓和功率半导体芯片表面的电场强度，实现制造工序内缺陷的减少、以及可靠性的提高。本发明具有配置在绝缘基板(2)之上的功率半导体芯片(4)，本发明还具有：配线(5)，其与功率半导体芯片的元件区域(4A)处的表面导体图案连接；低介电常数膜(8)，其配置在配线与周边区域(4B)之间；以及封装材料(6)，其是覆盖绝缘基板、功率半导体芯片、配线以及低介电常数膜而形成的，低介电常数膜具有比封装材料低的介电常数。
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公开(公告)号：CN102214622B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110073649.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川口安人
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/053 , H01L23/3121 , H01L23/3185 , H01L23/367 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83951 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/07025 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够降低绝缘不良的功率半导体模块。功率半导体电路基板（3）具有上表面电极（14）和下表面电极（15）。功率半导体电路（3）的下表面电极（15）经由焊料（16）接合在散热板（1）上。在功率半导体电路基板（3）的上表面电极（14）上经由焊料（17）接合有半导体芯片（18）。低介电常数膜（19）覆盖焊料（16）和下表面电极（15）的侧面。低介电常数膜（20）覆盖焊料（17）和半导体芯片（18）的侧面。壳体（9）设置在散热板（1）上，并且，包围功率半导体电路基板（3）以及半导体芯片（18）。填充在壳体（9）内的硅胶（11）覆盖功率半导体电路基板（3）、半导体芯片（18）以及低介电常数膜（19、20）。
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公开(公告)号：CN102214622A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110073649.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川口安人
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/053 , H01L23/3121 , H01L23/3185 , H01L23/367 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83951 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/07025 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够降低绝缘不良的功率半导体模块。功率半导体电路基板（3）具有上表面电极（14）和下表面电极（15）。功率半导体电路（3）的下表面电极（15）经由焊料（16）接合在散热板（1）上。在功率半导体电路基板（3）的上表面电极（14）上经由焊料（17）接合有半导体芯片（18）。低介电常数膜（19）覆盖焊料（16）和下表面电极（15）的侧面。低介电常数膜（20）覆盖焊料（17）和半导体芯片（18）的侧面。壳体（9）设置在散热板（1）上，并且，包围功率半导体电路基板（3）以及半导体芯片（18）。填充在壳体（9）内的硅胶（11）覆盖功率半导体电路基板（3）、半导体芯片（18）以及低介电常数膜（19、20）。
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公开(公告)号：CN101154653B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710092194.2
申请日：2007-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/36 , H01L23/04 , H01L23/16
CPC classification number: H01L23/5385 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L25/18 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到一种通过减少部分放电从而可实现产品的长寿命化的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：散热板(1)；电路衬底(2)，安装在散热板(1)上；导电图形(10)，设置在电路衬底(2)上；低介电常数膜(11)，覆盖导电图形(10)；壳体(7)，以包围电路衬底(2)的方式设置在散热板(1)上；以及柔软绝缘物(9)，填充在壳体(7)内。低介电常数膜(11)优选是硅橡胶、聚酰亚胺和环氧树脂的任意一种。
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公开(公告)号：CN101154653A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710092194.2
申请日：2007-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/36 , H01L23/04 , H01L23/16
CPC classification number: H01L23/5385 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L25/18 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到一种通过减少部分放电从而可实现产品的长寿命化的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：散热板(1)；电路衬底(2)，安装在散热板(1)上；导电图形(10)，设置在电路衬底(2)上；低介电常数膜(11)，覆盖导电图形(10)；壳体(7)，以包围电路衬底(2)的方式设置在散热板(1)上；以及柔软绝缘物(9)，填充在壳体(7)内。低介电常数膜(11)优选是硅橡胶、聚酰亚胺和环氧树脂的任意一种。
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