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公开(公告)号：CN112880850B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110034188.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
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公开(公告)号：CN107039408B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201610921780.2
申请日：2016-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田畑光晴
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/607
Abstract: 本说明书公开的技术涉及能够对导线键合作业的制约进行抑制的半导体装置及半导体装置的制造方法。本技术涉及的半导体装置具有：多个半导体芯片(104)，它们在俯视观察时由外框(102)所包围的壳体内配置于电路图案之上；以及键合导线(103)，其将电路图案与多个半导体芯片(104)之间电连接，多个半导体芯片(104)沿壳体的长边方向而排列，键合导线(103)沿壳体的长边方向而架设。
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公开(公告)号：CN105470236B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510622733.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 半导体装置具有：半导体元件(4)；以及陶瓷电路基板(10)，其安装有半导体元件。陶瓷电路基板(10)包含：陶瓷基板(11)，其具有彼此相对的一个面和另一个面；金属电路板(12)，其与陶瓷基板(11)的一个面接合，且与半导体元件电连接；以及金属散热板(13)，其与陶瓷基板(11)的另一个面接合。金属电路板(12)的厚度大于金属散热板(13)的厚度。金属散热板(13)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积大于金属电路板(12)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积。由此，能够得到可抑制陶瓷基板的翘曲的半导体装置。
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公开(公告)号：CN104934393B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510125857.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/16 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/40137 , H01L2224/84205 , H01L2924/00014 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够通过简单的设计变更，在减小电极的电感的状态下，容易地变更电极的引出位置或者电极的连接点的位置。电极(4)包含延伸设置部分(4b)，该延伸设置部分(4b)进行延伸设置，直至两端进入分别设置于壳体(5)的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁(5a1、5a2)处的第1以及第2凹部(5a3、5a4)中为止。延伸设置部分(4b)的两端进入的程度设定为，在通过将其两端向中心缩窄而将延伸设置部分(4b)的长度设为70％的情况下的两端的位置包含于，在将第1以及第2内壁(5a1、5a2)分别以10％向它们之间的中心缩窄的情况下的第1以及第2内壁的位置(5a1、5a2)之间。
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公开(公告)号：CN104934393A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510125857.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/16 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/40137 , H01L2224/84205 , H01L2924/00014 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够通过简单的设计变更，在减小电极的电感的状态下，容易地变更电极的引出位置或者电极的连接点的位置。电极(4)包含延伸设置部分(4b)，该延伸设置部分(4b)进行延伸设置，直至两端进入分别设置于壳体(5)的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁(5a1、5a2)处的第1以及第2凹部(5a3、5a4)中为止。延伸设置部分(4b)的两端进入的程度设定为，在通过将其两端向中心缩窄而将延伸设置部分(4b)的长度设为70％的情况下的两端的位置包含于，在将第1以及第2内壁(5a1、5a2)分别以10％向它们之间的中心缩窄的情况下的第1以及第2内壁的位置(5a1、5a2)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102396144B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980158691.5
申请日：2009-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02P27/06
CPC classification number: H02M7/5387 , H03K17/08142 , H03K17/102 , H03K17/6874
Abstract: 得到能够降低恢复损失的逆变器装置、电动机驱动装置、制冷空调装置以及发电系统。具备将电流导通及切断的多个臂(4)，多个臂(4)中的至少一个具备相互串联连接的多个开关元件和续流二极管(9)，该多个开关元件具有寄生二极管，该续流二极管(9)与多个开关元件并联连接。
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公开(公告)号：CN102403288A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110267245.7
申请日：2011-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田畑光晴
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体元件的冷却结构。基底板（110）在另一个主面具有朝向对置板的主面突出的多个散热用突出部（111）。基底板（110）的另一个主面与对置板的主面通过两个流道侧壁部（130A、130B）而连接，由此，形成在彼此之间具有多个散热用突出部（111）所在的冷却介质流道（190）的一部分即耐压区域（194）的冷却介质流道（190）的流入口（191）和流出口（192）。冷却介质流道（190）以如下方式形成：在连结流入口（191）和流出口（192）的方向上，在耐压区域（194）的中央部的基底板（110）上施加的静压比在耐压区域（190）的端部的基底板（110）上施加的静压低。由此，在半导体元件的冷却结构中，具有结构上的稳定性并有效地冷却半导体元件。
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公开(公告)号：CN115831944A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211101267.0
申请日：2022-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于得到能够小型化的双向开关电路及电力变换装置。本发明涉及的双向开关电路具有：第1半导体装置，其具有第1上表面电极和与第1图案电连接的第1背面电极；第2半导体装置，其具有第2上表面电极和与第2图案电连接的第2背面电极；第1二极管，其具有第1阳极电极和与所述第1图案电连接的第1阴极电极；第2二极管，其具有第2阳极电极和与所述第2图案电连接的第2阴极电极；第1配线，其将所述第1上表面电极和所述第2阳极电极电连接；以及第2配线，其将所述第2上表面电极和所述第1阳极电极电连接，所述第1上表面电极、所述第2上表面电极、所述第1阳极电极、所述第2阳极电极彼此电连接。
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公开(公告)号：CN107564875B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201710524567.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
Abstract: 就半导体装置(100)而言，具有：电路图案(3)；与电路图案(3)接合的至少大于或等于1根的导线(4)；与导线(4)接合的电极端子(5)；以及半导体元件。电极端子(5)包含：水平延伸部(5A)，其以沿主表面的方式扩展，与导线(4)连接；以及弯折部(5B)，其用于相对于水平延伸部(5A)而变更延伸方向。在俯视观察时，电路图案(3)与导线(4)相接合的接合部(4A、4B)相比于导线(4)与电极端子(5)重叠的部分而配置在外侧。
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公开(公告)号：CN107039408A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610921780.2
申请日：2016-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田畑光晴
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/607
Abstract: 本说明书公开的技术涉及能够对导线键合作业的制约进行抑制的半导体装置及半导体装置的制造方法。本技术涉及的半导体装置具有：多个半导体芯片(104)，它们在俯视观察时由外框(102)所包围的壳体内配置于电路图案之上；以及键合导线(103)，其将电路图案与多个半导体芯片(104)之间电连接，多个半导体芯片(104)沿壳体的长边方向而排列，键合导线(103)沿壳体的长边方向而架设。
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