公开(公告)号：CN105470236B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510622733.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大坪义贵 ,  高桥卓也 ,  宫泽雅臣 ,  山下哲生 ,  稗田智宏 ,  田畑光晴

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 半导体装置具有：半导体元件(4)；以及陶瓷电路基板(10)，其安装有半导体元件。陶瓷电路基板(10)包含：陶瓷基板(11)，其具有彼此相对的一个面和另一个面；金属电路板(12)，其与陶瓷基板(11)的一个面接合，且与半导体元件电连接；以及金属散热板(13)，其与陶瓷基板(11)的另一个面接合。金属电路板(12)的厚度大于金属散热板(13)的厚度。金属散热板(13)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积大于金属电路板(12)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积。由此，能够得到可抑制陶瓷基板的翘曲的半导体装置。

公开(公告)号：CN112880850B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202110034188.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  村冈宏记 ,  田畑光晴 ,  增田晃一

IPC: G01K7/16 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。

公开(公告)号：CN110702250B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201910600380.5

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  村冈宏记 ,  田畑光晴 ,  增田晃一

IPC: G01K7/16 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。

公开(公告)号：CN108735614B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201810343019.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  宫泽雅臣

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

公开(公告)号：CN112880850A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110034188.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  村冈宏记 ,  田畑光晴 ,  增田晃一

IPC: G01K7/16 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。

公开(公告)号：CN110702250A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910600380.5

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  村冈宏记 ,  田畑光晴 ,  增田晃一

IPC: G01K7/16 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。

公开(公告)号：CN108735614A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810343019.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下哲生 ,  稗田智宏 ,  宫泽雅臣

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/52 ,  H01L23/045 ,  H01L23/10 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/351

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够长寿命化以及小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板，其在上表面具有金属图案；半导体芯片，其设置于该金属图案之上；平板状的背面电极端子，其通过导线与该金属图案连接；平板状的表面电极端子，其在该背面电极端子的上方与该背面电极端子平行，延伸至该半导体芯片的正上方，与该半导体芯片的上表面直接接合；壳体，其将该基板包围；以及封装材料，其对该壳体的内部进行封装。

公开(公告)号：CN105470236A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510622733.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大坪义贵 ,  高桥卓也 ,  宫泽雅臣 ,  山下哲生 ,  稗田智宏 ,  田畑光晴

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/057 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体装置具有：半导体元件(4)；以及陶瓷电路基板(10)，其安装有半导体元件。陶瓷电路基板(10)包含：陶瓷基板(11)，其具有彼此相对的一个面和另一个面；金属电路板(12)，其与陶瓷基板(11)的一个面接合，且与半导体元件电连接；以及金属散热板(13)，其与陶瓷基板(11)的另一个面接合。金属电路板(12)的厚度大于金属散热板(13)的厚度。金属散热板(13)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积大于金属电路板(12)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积。由此，能够得到可抑制陶瓷基板的翘曲的半导体装置。