公开(公告)号：CN102598292A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048346.9

申请日：2010-11-11

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 水野功一 ,  竹内良昭 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典 ,  松井卓矢 ,  近藤道雄 ,  H.贾

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置，霾度高，并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5)，透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60％以上。

公开(公告)号：CN103026508A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180035754.5

申请日：2011-09-28

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中野慎也 ,  竹内良昭 ,  近藤道雄 ,  松井卓矢

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/077

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法，能够提升太阳能电池的发电特性，所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1)，该光电转换装置(100)的制造方法具备：PH3暴露处理工序，使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后，将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中；i层制膜工序，在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12)；n层制膜工序，在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13)；以及电极形成工序，在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。

公开(公告)号：CN102484150A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037798.7

申请日：2010-06-10

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  三菱重工业株式会社

Inventor： 近藤道雄 ,  鲤田崇 ,  竹内良昭 ,  坂井智嗣 ,  山内康弘

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/043 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多接合光电转换装置、集成型多接合光电转换装置及它们的制造方法，具有双端子构造、且以由先被层叠的层制约少的条件层叠在后的层。层叠分光灵敏度不同的多个光电转换元件，在至少与光入射的一侧相反的相反侧的端部的光电转换元件(2、4)进行连接的连接侧的最上层分别具有导电性薄膜层(5a、5b、5c、5d)，在其他光电转换元件(3)进行连接的连接侧的最上层及最下层分别具有导电性薄膜层(16a、16b)，经由在透明绝缘材料中含有导电性微粒子的各向异性导电粘结层(6a、6b)而使最上层及最下层彼此接合。各向异性导电粘结层(6a、6b)内的导电性微粒子进行各层的层叠方向的电连接，导电性薄膜层(5a、5b、5c、5d)进行作为各接合材料的光电转换层(2、3、4)的横向(面内方向)的电连接。