公开(公告)号：CN102598292A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048346.9

申请日：2010-11-11

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 水野功一 ,  竹内良昭 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典 ,  松井卓矢 ,  近藤道雄 ,  H.贾

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置，霾度高，并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5)，透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60％以上。

公开(公告)号：CN102113127A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129888.6

申请日：2009-08-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典

IPC: H01L31/04

CPC classification number: C23C14/086 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C23C14/3407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

Abstract: 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO2(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。

公开(公告)号：CN1623088A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN03801491.2

申请日：2003-06-27

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山越英男 ,  二见博 ,  团野实 ,  鹤我薰典 ,  栗林志头真

IPC: G01N27/64 ,  H01J49/26

CPC classification number: H01J49/427 ,  H01J49/162 ,  H01J49/424

Abstract: 本发明的化学物质的检测装置(100)具备真空紫外光灯(3)，通过该真空紫外光灯(3)，将废气Gs中的检测对象化学物质离子化。被离子化的检测对象化学物质被封闭在内部形成高频电场的离子捕获装置(10)内。通过SWIFT波形(其包含将与该检测对象化学物质离子的轨道共振频率对应的频率排除的频率成分)提供给离子捕获装置(10)内的离子群能量并除去杂质。然后，通过TICKLE波形(具有对应于检测对象化学物质离子的轨道共振频率的频率成分)给上述离子群提供能量，并将检测对象化学物质的离子碎片化。然后，可通过质量分析计(4)测定该碎片的质量，以鉴定检测对象化学物质。

公开(公告)号：CN104081467B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380007232.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 岩村康弘 ,  伊藤岳彦 ,  牟田研二 ,  鹤我薰典

IPC: G21G7/00 ,  G21B3/00

CPC classification number: G21G1/04 ,  G21B3/002 ,  G21G7/00

Abstract: 本发明提供一种核素转换装置及核素转换方法，与加速器或反应堆等大规模的装置相比，能够以规模相对较小的装置进行核素转换，使核素转换量增大。本发明的核素转换装置具备：结构体(1)、从两侧夹入结构体(1)而配置的氘高浓度部(2)及氘低浓度部(3)，向氘高浓度部(2)供给包含重水的电解液(16)，将电解液(16)电解而产生氘，在结构体(1)的氘高浓度部(2)侧的表面附近形成氘浓度高的状态，同时，使氘低浓度部从氘高浓度部(2)向氘低浓度部3透过结构体(1)，在结构体(1)中，使实施核素转换的物质在氘的作用下发生核素转换。(3)形成氘浓度低于氘高浓度部(2)的状态，使氘

公开(公告)号：CN102113127B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980129888.6

申请日：2009-08-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典

IPC: H01L31/04

CPC classification number: C23C14/086 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C23C14/3407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

Abstract: 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。

公开(公告)号：CN101779293A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200980100102.8

申请日：2009-01-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  浅原裕司 ,  小林靖之 ,  森匡史 ,  鹤我薰典 ,  山下信树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，通过最优化透明导电层来提高光电转换装置的短路电流。该光电转换装置(100)在基板(1)上具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、及背面电极层(4)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，且在波长600nm以上1000nm以下的区域上的所述第二透明电极层(6)的光吸收率为1.5％以下。以及光电转换装置(100)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，由上述第二透明电极层(6)及上述背面电极层(4)所反射的光的反射率在波长600nm以上且1000nm以下的区域为91％以上。

公开(公告)号：CN100574905C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200410046441.1

申请日：2004-05-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  鹤我薰典 ,  山越英男 ,  栗林志头真 ,  团野实 ,  二见博 ,  山崎纪子

IPC: B08B7/00 ,  C03C23/00 ,  H01J61/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于防止或抑制决定光学设备寿命的光学系统的衰减，其中所述光学设备实现例如光线透射、衍射、反射、光谱产生、以及干涉和其组合的效果。采用上述方式，可以降低维修操作频率如窗口更换并降低此操作的成本。本发明的特征在于通过以下步骤实现：具有0.005毫托到20毫托范围的近真空区用于激发碳的氧化反应，所述近真空区面对所述光学系统的所述照明表面；在所述近真空区产生含氧原子离子或基，例如含有氧原子的不稳定的基团如OH基、OH-离子、臭氧、O2-离子、O-基；通过使含氧原子离子或基团与沉积的碳进行反应以消除或减少积聚在所述照明表面的积聚的碳。

公开(公告)号：CN110462751B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880019152.2

申请日：2018-04-03

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典

IPC: G21G7/00 ,  G01N21/01 ,  G01N21/21

Abstract: 目的在于提供一种以非破坏方式评价用于核素转换的构造体的健全性的评价方法以及评价装置。在本发明的用于核素转换反应的构造体(1)的评价方法中，所述用于核素转换反应的构造体(1)具备：基材(2)，其包括从由储氢金属以及储氢合金组成的群组中选择的至少一种金属；中间层(3)，其设于基材(2)上且交替层叠有第一层和第二层，所述第一层包括功函数相对于金属相对较低的低功函数物质，所述第二层包括金属；表面层(4)，其设于中间层(3)上并包括金属；所述评价方法一边将构造体(1)保持在规定温度，一边将光照射到表面层(4)并测定入射光和反射光的偏振光的变化，比较偏振光的变化的测定值和事先准备的构造体的偏振光的变化的阈值，并基于比较结果来评价构造体(1)的健全性。

公开(公告)号：CN101755340B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN101755340A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。