公开(公告)号：CN116779646A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310867951.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 苏州迈为科技股份有限公司 ,  上海大学

Inventor： 任开琳 ,  黄豪 ,  李育良 ,  殷录桥 ,  张建华 ,  杨翰林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法。该鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、漏极、源极和高介电常数介质层；沟道层铺设于所述衬底上，所述沟道层上开孔以形成多个间隔设置的沟道；势垒层铺设于所述沟道层上；栅极铺设于所述势垒层，并呈三维鳍式结构；所述势垒层的一端设置有所述源极，另一端设置有所述漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；高介电常数介质层铺设于所述源极和所述栅极之间的沟道内以及所述漏极和所述栅极之间的沟道内。该鳍型栅氮化镓基功率晶体管能够提高击穿电压，并降低比导通电阻，解决鳍式栅结构中更窄的鳍宽与更高的击穿电压无法同时实现的问题。

公开(公告)号：CN117855258A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410026383.3

申请日：2024-01-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  杨翰林 ,  殷录桥 ,  张建华

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种p‑GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域。所述器件中第一台体和第二台体平行设置，各鳍型单元设置在第一台体和第二台体之间，且均与第一台体和第二台体垂直接触设置，相邻的鳍型单元之间不接触；第一台体和第二台体均包括由下向上依次设置的沟道层和势垒层，第一台体上设置源极，第二台体上设置漏极；各鳍型单元均包括由下向上依次设置的沟道层、势垒层和p‑GaN帽层；栅极设置在p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面、各鳍型单元的第一侧面和第二侧面；p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面完全被栅极覆盖。本发明可增强栅极控制能力。